Cấu trúc AlGaAs / GaAs
Cấu trúc dị thể AlGaAs / GaAs có thể được cung cấp bởigan wafer. Nhôm gali arsenide (AlGaAs), là vật liệu cơ bản quang điện tử quan trọng, được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử tốc độ cao và máy dò hồng ngoại. Chất lượng của vật liệu AlGaAs, đặc biệt là chất lượng của bề mặt ảnh hưởng trực tiếp đến các đặc tính quang điện tử của thiết bị được chế tạo. Thông tin chi tiết về tấm bán dẫn bán dẫn cấu trúc dị AlGaAs / GaAs để bán được hiển thị như sau:
1. Cấu trúc AlGaAs / GaAs
No. 1 AlGaAs Bragg Stack Wafers
GANW201123-ALGAAS
| lớp | Chất liệu | Repeat | Độ dày (nm) | Note |
| 11 | Al0.2Ga0.8Như | 5 | - | Alternating layers 10/11 |
| 10 | Al0.63Ga0.37Như | 5 | - | |
| 9 | Al0.2Ga0.8Như | - | ||
| 8 | Al0.63Ga0.37Như | - | ||
| 7 | Al0.2Ga0.8Như | - | ||
| 6 | Al0.43Ga0.57Như | - | ||
| 5 | Al0.2Ga0.8Như | 400 | ||
| 4 | Al0.63Ga0.37Như | - | ||
| 3 | Al0.2Ga0.8Như | - | ||
| 2 | Al0.63Ga0.37Như | 5 | - | Alternating layers 1/2 |
| 1 | Al0.2Ga0.8Như | 5 | - | |
| 0 | GaAs wafer |
No. 2 AlGaAs / GaAs Heteroepitaxial Wafer
GANW200710-ALGAAS
Kích thước 2 inch AlGaAs / GaAs Wafer ：
280nm AlGaAs (không mở rộng, định hướng trục tinh thể [100], 20% Al)
100nm Al0.52In0.48P (Thành phần Al sẽ là một dung sai nhỏ)
GaAs chất nền
Lưu ý:
Nếu bạn chỉ cần màng mỏng AlGaAs cho các ứng dụng của mình, dung dịch HCl có thể được sử dụng ở đây để tách AlGaAs và chất nền GaAs bằng cách hòa tan AlInP.
No. 3 AlGaAs Epi Stacked on GaAs Substrate
GANW191009 – ALGAAS
| lớp | Type | Chất liệu | Group | Repeat | Độ dày | dopant | Mole Fraction (x) | Strain (ppm) | PL (nm/eV) | CV Level |
| 10 | i | GaAs | - | |||||||
| 9 | i | Al(x)GaAs | 100±5% Å | 0.40±5% | ||||||
| 8 | N+ | Al(x)GaAs | - | Si | - | - | ||||
| 7 | i | Al(x)GaAs | - | - | ||||||
| 6 | i | GaAs | - | |||||||
| 5 | i | GaAs | - | - | - | |||||
| 4 | i | Al(x)GaAs | 1 | - | - | - | ||||
| 3 | i | GaAs | 5000±5% Å | |||||||
| 2 | i | Al(x)GaAs | - | - | ||||||
| 1 | i | GaAs | - | |||||||
| 0 | bề mặt |
Remark: concentration tolerance: +/-20%
No. 4 AlGaAs / GaAs Epitaxial Wafer
GANW180412-ALGAAS
| Layer Name | Chất liệu | Độ dày, um | Conductivity Type | Concentration cm¯³ | |
| H1 | Contact layer | GaAs | 0.070 | - | 5Χ10¹⁸ |
| H2 | Gradient layer 2 | GaAs | - | - | - |
| - | |||||
| H3 | Transition layer 2 | GaAs | - | - | - |
| H4 | Gradient layer 1 | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | 0.025 | - | - |
| - | |||||
| H5 | Donor layer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | - | n+ | - |
| H6 | Spacer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | - | - | 5Χ10¹⁴ |
| H7 | Transition layer 1 | GaAs | - | Pi | - |
| H8 | Channel layer | TrongxGa1-xNhư | - | - | - |
| H9 | Buffer layer 2 | GaAs | 0.2 | - | - |
| H10 | Superlattice | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As /GaAs | - | - | - |
| H11 | Buffer layer 1 | GaAs | - | - | 5Χ10¹⁴ |
| H12 | bề mặt | GaAs | 450±10 | i | ₋ |
Reamrks:
The thickness and doping level of the contact layer n+-GaAs can be specified by the consumer within 0.01~0.15 um and 1×10¹⁸~6Χ10¹⁸ cm-³, respectively.
2. Giới thiệu về Vật liệu AlGaAs
Vật liệu nhôm gallium arsenide (AlGaAs), như một đại diện điển hình củaChất bán dẫn hợp chất III-V, đã được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi do tính linh động của sóng mang cao, thành phần có thể điều chỉnh và mạng tinh thể tương tự như GaA. Một trong những ứng dụng điển hình là việc sử dụng epitaxy chùm phân tử của sự phát triển dị cấu trúc GaAs / AlGaAs để điều chế vật liệu khí điện tử hai chiều pha tạp. Các thiết bị vi điện tử tốc độ cao (HEMT, PHEMT) dựa trên cấu trúc khí điện tử hai chiều chất lượng cao, chẳng hạn như các bóng bán dẫn có độ linh động điện tử cao, được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị vi điện tử tốc độ siêu cao, tần số siêu cao, tiếng ồn thấp và các mạch.
Đồng thời, nó có nhiều ứng dụng tiềm năng trong các cảm biến và laser mới được sử dụng trong truyền thông và truyền dữ liệu quang học thế hệ tiếp theo. Vì vậy, yêu cầu về chất lượng điều chế của màng mỏng AlGaAs, chấm lượng tử AlGaAs, giếng lượng tử AlGaAs ngày càng cao, cũng giống như yêu cầu công nghệ điều chế vật liệu Si ngày càng cao cùng với sự tiến bộ của công nghệ vi điện tử. Ngoài ra, việc nghiên cứu quá trình tăng trưởng và vi cấu trúc bề mặt của AlGaA chất lượng cao với các thành phần khác nhau có ý nghĩa to lớn đối với sự phát triển của siêu kết tụ chất lượng cao. Do đó, công việc nghiên cứu cơ bản về bề mặt AlGaAs là có giá trị.
Vật liệu AlGaAs có ưu điểm là dễ dàng tích hợp điốt laser và các thiết bị quang học khác, cho phép laser dị cấu trúc AlGaAs / GaAs có thiết kế tích hợp cao với kích thước siêu nhỏ, có thể giảm kích thước và trọng lượng linh kiện một cách hiệu quả để đáp ứng các ứng dụng thực tế.
Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi qua email sales@ganwafer.com và tech@ganwafer.com.
