GaInP / AlInP lysemitterende diodestruktur
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality III-V ternært halvledermateriale is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. GaAs Epi-struktur af lysemitterende diode
No.1 GaAs LED Epitaxy
|
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
| Lagmateriale | Tykkelse | Bemærk |
| p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
mg doped |
| p-GaP | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| DBR | - | |
| Etch stop n-GaInP | 20 nm | |
| Bufferlag | - | |
| GaAs subs. | 350 um | |
PL og El test af kvante lysemitterende diode wafer er vist som diagrammet:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | Materiale | Tykkelse |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900 nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| Bufferlag | N-GaAs | |
| substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | Materiale | Tykkelse |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| Bufferlag | N-GaAs | 300 nm |
| substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, som viser et stort potentiale til at erstatte de aluminiumholdige materialer, er et kritisk halvledermateriale, der normalt dyrkes på GaAs-substrat. Dens egenskaber er tæt forbundet med vækstbetingelser, såsom vækstmetode, substrattemperatur, væksthastighed, substratorientering, III/V-forhold, osv. Så InGaP er ideel til dyrkning af heterostrukturer til flere applikationer, såsom røde LED'er med høj lysstyrke.
Tiltrækningskraften af InGaP / GaAs heterostrukturen stammer fra dens båndjustering, valensbåndforskydningen (AEv = 0,24 – 0,40 eV) er signifikant større end ledningsbåndforskydningen (Mc = 0,03 – 0,22 eV). Dette anses for at være mere gunstigt end båndstrukturen af AlGaAs / GaAs heterosystemet.
InGaP er meget selektiv ætsning til GaAs, som bruges som ætsestoplaget i vores epitaksiale struktur af LED. Dette vil øge uformiteten og fabrikationsevnen af mikro lysemitterende diode-enheder. Men GaInP ætsningsstoplaget vil øge højden af energibarrieren, som skal overvindes, når elektroner strømmer fra kollektor til sub-kollektor. Under denne tilstand vil DC-strømforstærkningen af MQW LED-strukturen falde. Derfor bør ætsestoplaget af InGaP være tyndt nok til at sikre enhedens ydeevne.
For mere information, kontakt os venligst e-mail på sales@ganwafer.com og tech@ganwafer.com.
