Struktura světelných diod GaInP / AlInP
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality III-V ternární polovodičový materiál is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. GaAs Epi Struktura světlo emitující diody
No.1 GaAs LED Epitaxy
|
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
| Materiál vrstvy | Tloušťka | Poznámka |
| p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
Mg dopoval |
| p-GaP | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| DBR | - | |
| Zastavte leptání n-GaInP | 20 nm | |
| Vyrovnávací vrstva | - | |
| GaAs subs. | 350 um | |
PL a El test kvantové světlo emitující diodové destičky je znázorněn jako diagram:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | Materiál | Tloušťka |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Aktivní vrstva | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900 nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| Vyrovnávací vrstva | N-GaAs | |
| Podklad | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | Materiál | Tloušťka |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Aktivní vrstva | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| Vyrovnávací vrstva | N-GaAs | 300 nm |
| Podklad | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, který vykazuje velký potenciál nahradit materiály obsahující hliník, je kritickým polovodičovým materiálem obvykle pěstovaným na substrátu GaAs. Jeho vlastnosti úzce souvisejí s podmínkami růstu, jako je způsob růstu, teplota substrátu, rychlost růstu, orientace substrátu, poměr III/V atd. InGaP je tedy ideální pro pěstování heterostruktur pro několik aplikací, jako jsou například červené LED s vysokým jasem.
Atraktivita heterostruktury InGaP / GaAs pramení z jejího zarovnání pásem, posun valenčního pásma (AEv = 0,24 – 0,40 eV) je výrazně větší než posun pásma vodivosti (Mc = 0,03 – 0,22 eV). To je považováno za výhodnější než pásmová struktura heterosystému AlGaAs / GaAs.
InGaP je vysoce selektivní leptání na GaAs, které se používá jako vrstva zastavující leptání v naší epitaxní struktuře LED. To zvýší tvarovost a zpracovatelnost mikrosvětelných diodových zařízení. Ale vrstva zastavující leptání GaInP zvýší výšku energetické bariéry, která musí být překonána, když elektrony proudí z kolektoru do podkolektoru. Za této podmínky se stejnosměrný proudový zisk struktury MQW LED sníží. Vrstva zastavující leptání InGaP by tedy měla být dostatečně tenká, aby zajistila výkon zařízení.
Pro více informací nás prosím kontaktujte e-mailem na sales@ganwafer.com a tech@ganwafer.com.
