GaSb oplatka
Gallium antimonide (GaSb) material from Ganwafer a gallium antimonide wafer supplier is an important substrate material for manufacturing 2~4um lasers, infrared light-emitting tubes and high-speed low-noise avalanche photodiodes. Its three- and quaternary compound epitaxial growth has good lattice matching, and it is one of the ideal light source materials for manufacturing optical communication devices. Device manufacturing on single crystal GaSb substrate requires the preparation of a stable oxide layer with low interface density, high resistivity, high breakdown voltage and suitable for high-temperature processes. More about GaSb (Gallium Antimonide) crystal substrates please contact us.
- Popis
- Poptávka
Popis
As one of important III–V compound semiconductor materials, gallium antimonide is applied in optoelectronic devices. Because of the gallium antimonide properties, such as high quantum efficiency, high hole mobility, and super lattices with customized optical and transport characteristics, devices fabricated on GaSb substrate is ideal for the mid-infrared (2-5um and 8-14um wavelength) applications, like imaging sensors for fire detection, surveillance system and environmental pollution monitors.
1. Specifikace 4″ GaSb Wafer připravené pro epitaxi
| Položka | Specifikace | ||
| dopant | málo dopovaný | Zinek | Tellur |
| vedení Type | Typu P | Typu P | Typu N |
| Průměr destičky | 4 ″ | ||
| Wafer Orientation | (100) ± 0,5 ° | ||
| Tloušťka oplatky | 800±25um | ||
| Primární Flat Délka | 32,5 ± 2,5 mm | ||
| Sekundární Flat Délka | 18±1 mm | ||
| Carrier Koncentrace | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| pohyblivost | 600-700 cm2/Vs | 200-500 cm2/Vs | 2000-3500 cm2/Vs |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <15um | ||
| LUK | <15um | ||
| VÁLKA | <20um | ||
| Laserové značení | na požádání | ||
| Povrchová úprava | P / E, P / P | ||
| Epi ready | Ano | ||
| Balíček | Single nádoba oplatka nebo kazeta | ||
2. Specifikace plátku 3″ Gallium Antimonide
| Položka | Specifikace | ||
| vedení Type | Typu P | Typu P | Typu N |
| dopant | málo dopovaný | Zinek | Tellur |
| Průměr destičky | 3 ″ | ||
| Wafer Orientation | (100) ± 0,5 ° | ||
| Tloušťka oplatky | 600 ± 25um | ||
| Primární Flat Délka | 22 ± 2 mm | ||
| Sekundární Flat Délka | 11 ± 1 mm | ||
| Carrier Koncentrace | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| pohyblivost | 600-700 cm2/Vs | 200-500 cm2/Vs | 2000-3500 cm2/Vs |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <12um | ||
| LUK | <12um | ||
| VÁLKA | <15um | ||
| Laserové značení | na požádání | ||
| Povrchová úprava | P / E, P / P | ||
| Epi ready | Ano | ||
| Balíček | Single nádoba oplatka nebo kazeta | ||
3. Specifikace substrátu pro 2″ GaSb (gallium antimonid).
| Položka | Specifikace | ||
| dopant | málo dopovaný | Zinek | Tellur |
| vedení Type | Typu P | Typu P | Typu N |
| Průměr destičky | 2 ″ | ||
| Wafer Orientation | (100) ± 0,5 ° | ||
| Tloušťka oplatky | 500 ± 25um | ||
| Primární Flat Délka | 16 ± 2 mm | ||
| Sekundární Flat Délka | 8 ± 1 mm | ||
| Carrier Koncentrace | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| pohyblivost | 600-700 cm2/Vs | 200-500 cm2/Vs | 2000-3500 cm2/Vs |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <10um | ||
| LUK | <10um | ||
| VÁLKA | <12um | ||
| laserové značení | na požádání | ||
| povrchová úprava | P / E, P / P | ||
| Epi Ready | Ano | ||
| Balíček | Single nádoba oplatka nebo kazeta | ||
Mnoho vlastností polovodičových prvků úzce souvisí s vlastnostmi povrchu polovodiče. Stojí za zmínku, že monokrystalický plátek GaSb se snadno oxiduje přírodními povrchovými oxidy tvořenými atmosférickým kyslíkem o tloušťce několika nanometrů, protože má velmi vysoce chemicky reaktivní povrch.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
