CZ Silicon Wafer
CZ silicon (Si) wafer produced by Ganwafer is grown by Czochralski (CZ) method, which is the mainstream technology for monocrystalline silicon growth with low cost established in the 1950s. In Czochralski method, the raw poly-silicon block is put into a quartz crucible, heated and melted in a single crystal furnace, and then a rod-shaped seed (seed crystal) with a diameter of only 10 mm is immersed in the melt. At a suitable temperature, the silicon atoms in the melt will be arranged along the silicon atoms of the seed and form regular crystals at the solid-liquid interface to become single crystals. Czochralski method can be used to manufacture 2 “, 4”, 8”, 12“ semiconductor polished wafers, epitaxial wafers, SOI and other semiconductor silicon wafers, mainly used in logic, memory chips and low-power integrated circuit components.
- Popis
- Poptávka
Popis
1. Specifikace CZ Silicon Wafer
1.1 12palcový CZ silikonový plátek
| 12palcový CZ silikonový plátek | |||
| Položka | Parametry | ||
| Materiál | Monokrystalický křemík | ||
| Školní známka | Základní stupeň | ||
| Metoda růst | CZ | ||
| Průměr | 300,0 ± 0,3 mm, 12″ | 300,0 ± 0,3 mm, 12″ | 300,0 ± 0,3 mm, 12″ |
| Typ vodivosti | Vnitřní | Typ N | Typ P |
| dopant | málo dopovaný | Fosfor | Bor |
| Orientace | [111] ± 0,5° | [100]±0,5° | (100) ± 0,5 ° |
| Tloušťka | 500±15μm | 500±25μm | 775±25μm |
| odpor | > 10 000 Ω cm | 0-10Ωcm | 1-10Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plán C) | ||
| SEMI STD zářez | SEMI STD zářez | SEMI STD zářez | SEMI STD zářez |
| povrchová úprava | 1SP, SSP One-Side-Epi-Ready-Leštěný, Zadní strana leptaná |
1SP, SSP Jedna strana leštěná Zadní strana leptaná kyselinou |
1SP, SSP Jedna strana leštěná Zadní strana leptaná kyselinou |
| Hrana zaoblená | Hrana zaoblená podle standardu SEMI | Hrana zaoblená podle standardu SEMI | Hrana zaoblená podle standardu SEMI |
| Částice | <20 počtů @ 0,3 μm | ||
| Drsnost | <1 nm | ||
| TTV | <10um | <10um | <10um |
| Bow / Warp | <30um | <40um | <40um |
| TIR | <5 um | ||
| Obsah kyslíku | <2E16/cm3 | ||
| Obsah uhlíku | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| STIR (15x15mm) | <1,5 um | ||
| Povrchová kontaminace kovů Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr |
≤5E10 atomů/cm2 | ||
| dislokace Hustota | SEMI STD | SEMI STD | 500 max/ cm2 |
| Úlomky, škrábance, hrboly, opar, dotykové stopy, pomerančová kůra, důlky, praskliny, špína, kontaminace | Všechny Žádné | ||
| laser Mark | SEMI STD | Možnost laserové sériové výroby: Mělký laser |
Podél Bytu Na Přední Straně |
1,2 8palcový CZ silikonový plátek s TTV<6μm
| 8palcový CZ silikonový plátek s TTV<6μm | |||
| Položka | Parametry | ||
| Materiál | Monokrystalický křemík | ||
| Školní známka | Základní stupeň | ||
| Metoda růst | CZ | ||
| Průměr | 200,0 ± 0,5 mm, 8″ | 200,0 ± 0,5 mm, 8″ | 200,0 ± 0,2 mm, 8″ |
| Typ vodivosti | Typ P | Typ P | Typ P |
| dopant | Bor | Bor | Bor |
| Orientace | [111] ± 0,5° | [100]±0,5° | (111) ± 0,5° |
| Tloušťka | 1 000±15μm | 725±50μm | 1 000±25 μm |
| odpor | <1Ωcm | 10-40Ωcm | <100 Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plán C) | ||
| SEMI STD zářez | SEMI STD zářez | SEMI STD zářez | SEMI STD zářez |
| povrchová úprava | 1SP, SSP One-Side-Epi-Ready-Leštěný, Zadní strana leptaná |
1SP, SSP Jedna strana leštěná Zadní strana leptaná kyselinou |
1SP, SSP Jedna strana leštěná Zadní strana leptaná kyselinou |
| Hrana zaoblená | Hrana zaoblená podle standardu SEMI | Šířka zkosení 250-350μm | Hrana zaoblená podle standardu SEMI |
| Částice | <10 počtů @ 0,3 μm | <20 počtů @ 0,3 μm | <10 počtů @ 0,3 μm |
| Drsnost | <1 nm | ||
| TTV | <6um | <10um | <6um |
| Bow / Warp | <60um | <40um | <60um |
| TIR | <5 um | ||
| Obsah kyslíku | <2E16/cm3 | ||
| Obsah uhlíku | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| STIR (15x15mm) | <1,5 um | ||
| Povrchová kontaminace kovů Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr |
≤5E10 atomů/cm2 | ||
| dislokace Hustota | SEMI STD | SEMI STD | < 10-2 cm-2 |
| Úlomky, škrábance, hrboly, opar, dotykové stopy, pomerančová kůra, důlky, praskliny, špína, kontaminace | Všechny Žádné | ||
| laser Mark | SEMI STD | Možnost laserové sériové výroby: Mělký laser |
Podél Bytu Na Přední Straně |
1,3 6palcový křemíkový plátek CZ s částicemi <20 počtů @ 0,3 μm
| 6palcový CZ silikonový plátek s částicemi <20 počtů @ 0,3 μm | |||
| Položka | Parametry | ||
| Materiál | Monokrystalický křemík | ||
| Školní známka | Základní stupeň | ||
| Metoda růst | CZ | ||
| Průměr | 6″(150.0±0.5mm) | ||
| Typ vodivosti | Typ P | Typ P | Typ P |
| dopant | Bor | Bor | Bor |
| Orientace | <111>±0,5° | [111]±1° | (100) ± 0,5 ° |
| Tloušťka | 675±25μm | 675±10μm 1 000 ± 25 um |
675±25μm |
| odpor | 0,1-13Ωcm | 0,01-0,02 Ωcm | 1-100Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plán C) | ||
| Primární byt | SEMI STD | SEMI STD | SEMI STD |
| sekundární Flat | SEMI STD | SEMI STD | SEMI STD |
| povrchová úprava | 1SP, SSP Jedna strana leštěná, připravená na epizodu Zadní strana leptaná kyselinou |
1SP, SSP Jedna strana leštěná Zadní strana leptaná kyselinou |
1SP, SSP Jedna strana leštěná Zadní strana leptaná kyselinou |
| Hrana zaoblená | Hrana zaoblená podle standardu SEMI | Hrana zaoblená podle standardu SEMI | Hrana zaoblená podle standardu SEMI |
| Částice | <20 počtů @ 0,3 μm | ≤10@≥0,3μm | |
| Drsnost | <0,5 nm | <1 nm | <0,5 nm |
| TTV | <10um | <10um | <12um |
| Bow / Warp | <30um | <40um | <60um |
| TIR | <5 um | ||
| Obsah kyslíku | <2E16/cm3 | ||
| Obsah uhlíku | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| STIR (15x15mm) | <1,5 um | ||
| Povrchová kontaminace kovů Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn |
≤5E10 atomů/cm2 | ||
| dislokace Hustota | SEMI STD | SEMI STD | 500 max/ cm2 |
| Úlomky, škrábance, hrboly, opar, dotykové stopy, pomerančová kůra, důlky, praskliny, špína, kontaminace | Všechny Žádné | Všechny Žádné | Zašpinění, pomerančová kůra, kontaminace, zákal, mikroškrábance, třísky, odštěpky na hranách, prasklina, vrána, dírka, důlky, promáčklina, zvlnění, šmouha a jizva na zadní straně: všechny žádné |
| laser Mark | SEMI STD | SEMI STD | SEMI STD |
1,4 4palcový CZ silikonový plátek
| 4palcový CZ silikonový plátek | |||
| Položka | Parametry | ||
| Materiál | Monokrystalický křemík | ||
| Školní známka | Základní stupeň | ||
| Metoda růst | CZ | ||
| Průměr | 4″(100.0±0.5mm) | ||
| Typ vodivosti | typu P nebo N | Typ P | — |
| dopant | Bor nebo fosfor | Bor | — |
| Orientace | <100>±0,5° | — | (100) nebo (111)±0,5° |
| Tloušťka | 525±25μm | 525±25μm | 300±25μm |
| odpor | 1-20Ωcm | 0,002 – 0,003Ωcm | 5-10 ohmcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plán C) | ||
| Primární byt | SEMI STD Byty | SEMI STD Byty | 32,5+/-2,5 mm, @110±1° |
| sekundární Flat | SEMI STD Byty | SEMI STD Byty | 18±2 mm, @90°±5° k primární ploše |
| povrchová úprava | One-Side-Epi-Ready-Leštěný, Zadní strana leptaná |
||
| Hrana zaoblená | Hrana zaoblená podle standardu SEMI | ||
| Částice | <20 počtů @ 0,3 μm | ||
| Drsnost | <0,5 nm | ||
| TTV | <10um | ||
| Bow / Warp | <40um | ||
| TIR | <5 um | ||
| Obsah kyslíku | <2E16/cm3 | ||
| Obsah uhlíku | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| STIR (15x15mm) | <1,5 um | ||
| Povrchová kontaminace kovů Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr |
≤5E10 atomů/cm2 | ||
| dislokace Hustota | 500 max/ cm2 | ||
| Úlomky, škrábance, hrboly, opar, dotykové stopy, pomerančová kůra, důlky, praskliny, špína, kontaminace | Všechny Žádné | ||
| laser Mark | Podél Bytu Na přední straně, možnost Laser Serialized: Mělký laser |
||
1,5 2palcový CZ Si Wafer
| 2palcový CZ silikonový plátek | |||
| Položka | Parametry | ||
| Materiál | Monokrystalický křemík | ||
| Školní známka | Základní stupeň | ||
| Metoda růst | CZ | ||
| Průměr | 2″ (50,8 ± 0,5 mm) | ||
| Typ vodivosti | typu P nebo N | — | Typ P |
| dopant | Bor nebo fosfor | — | Bor |
| Orientace | <100> | (100) nebo (111)± 0,5° | — |
| Tloušťka | 150±25μm | 275±25μm | — |
| odpor | 1-200Ωcm | — | 0,01-0,02Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plán C) | ||
| Primární byt | SEMI STD Byty | ||
| sekundární Flat | SEMI STD Byty | ||
| povrchová úprava | Jedna strana leštěná Zadní strana leptaná kyselinou |
||
| Částice | <20 počtů @ 0,3 μm | ||
| Drsnost | <0,5 nm | <0,5 nm | — |
| TTV | <10um | — | <10um |
| Bow / Warp | <30um | <20um | — |
| TIR | <5 um | ||
| Obsah kyslíku | <2E16/cm3 | ||
| Obsah uhlíku | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| STIR (15x15mm) | <1,5 um | ||
| Povrchová kontaminace kovů Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr |
≤5E10 atomů/cm² | ||
| Dislokace | Nikdo | ||
| Úlomky, škrábance, hrboly, opar, dotykové stopy, pomerančová kůra, důlky, praskliny, špína, kontaminace | Všechny Žádné | ||
2. Dusík v Czochralského procesu křemíkových destiček
Dusík hraje v CZ křemíkových ingotech velmi důležitou roli a malé množství dusíkového dopingu bude mít příznivý vliv na výkonnost monokrystalického křemíku. Existuje mnoho metod pro aktivní přidávání dusíku: Použití ochrany dusíkem během procesu růstu krystalů křemíku CZ nebo přidání prášku nitridu křemíku do roztaveného křemíku; a implantaci dusíkových iontů. Při teplotě asi 1415 stupňů je nasycená rozpustnost dusíku v křemíkové tavenině a monokrystalickém křemíku 6×1018cm-3a 4,5×1015cm-3, resp. Protože rovnovážný segregační koeficient dusíku v křemíku je 7×10-4, koncentrace dusíku během růstu silikonu CZ je obecně menší než 5×1015 cm-3.
Interakce dusíku a kyslíku v Czochralského monokrystalickém křemíku může vytvořit komplex dusík-kyslík, který vykazuje mnohonásobné absorpční píky ve středním infračerveném a vzdáleném infračerveném absorpčním spektru. Komplex dusík-kyslík je jakýmsi mělkým donorem a má elektrickou aktivitu. Kombinací testů infračervené absorpce a měrného odporu lze zjistit, že s vymizením píku infračervené absorpce komplexu dusík-kyslík během procesu žíhání se měrný odpor nebo koncentrace nosiče polovodiče monokrystalického křemíkového plátku odpovídajícím způsobem změní. Elektrickou aktivitu komplexu dusík-kyslík lze eliminovat vysokoteplotním žíháním. Dopování dusíku v CZ monokrystalické Si destičce má inhibiční účinek na tvorbu tepelných donorů a nových donorů.
Dopování dusíku do velkorozměrového Czochralského křemíku může změnit velikost a hustotu defektů dutinového typu, takže defekty dutinového typu lze snadno odstranit vysokoteplotním žíháním. Kromě toho může dusík zvýšit odolnost substrátu CZ Si proti deformaci a zlepšit výtěžnost integrovaných obvodů vyrobených na křemíkové destičce Czochralského procesu.
