Depozice tenkého filmu a metalizace na křemíkové destičky

Depozice tenkého filmu a metalizace na křemíkové destičky

Ganwafer, a metal deposition manufacturing company, offers metal film deposition services on silicon by various metal thin film deposition techniques, such as evaporating, sputtering, LPCVD, ALD and etc. All the metal deposition on silicon wafer is supplied at different stress level with high thickness uniformity. The metal deposition process forms contacts in doped area between the semiconductor and conducting path. For our metal deposition service, we use metal and ITO (indium tin oxides) material to prepare electrodes for silicon substrate, and use non-metallic materials to grow sacrificial and insulating dielectric layers on silicon substrate.

Popis
Poptávka

Popis

Během procesu nanášení kovů existuje několik zásadních požadavků na integrovaná mikroelektronická zařízení, které by měly být dodrženy:

Čistota kovu by měla být dostatečně vysoká;

Je možné integrovat vrstvené vrstvy;

Proudová zatížitelnost by měla být vysoká;

Kontaktní odpor mezi kovem a polovodičem by měl být nízký;

Proces metalizace by měl být jednoduchý;

Materiál pro metalizaci by měl být odolný proti korozi a má dlouhou životnost;

Materiál pro nanášení by měl mít vynikající adhezi na oxidech křemíku.

Vezměme si jako příklad následující technické parametry našeho nanášeného kovového křemíkového plátku:

1. Technické parametry depozice kovů na polovodičích

4″ Si Substrát + SiO2 + TiO2 + Pt
Položka	Parametry
Materiál	Monokrystalický křemík
Školní známka	Základní stupeň
Metoda růst	CZ
Průměr	100,0 ± 0,3 mm, 4″	100 ± 0,3 mm, 4″
Typ vodivosti	Typ N.	Typ N.
dopant	Fosfor	Nedopovaný
Orientace	<100>±0,5°	[111] ± 0,5°
Tloušťka	300±25μm (celková tloušťka)	525±25μm
odpor	1-10Ωcm	n / a
Primární byt	SEMI STD Byty	SEMI STD Byty
sekundární Flat	SEMI STD Byty	SEMI STD Byty
povrchová úprava	Jedna strana leštěná
Hrana zaoblená	Hrana zaoblená podle standardu SEMI
Si Sub/SiO2/TiO2/Pt	Celková tloušťka 300μm Si Tloušťka substrátu 289μm 1. střední vrstva SiO2 Tloušťka 10 000 Angstromů 2. střední vrstva Ti Tloušťka 500 Angstrom Vrchní vrstva Pt 5000 Angstrom	Si Tloušťka substrátu 525μm 1. střední vrstva SiO2 Tloušťka 300 Angstrom 2. střední vrstva Ti Tloušťka 20 Angstrom Horní vrstva Pt Angstrom
Částice	SEMI STD
TTV	<10um
Bow / Warp	<30um
TIR	<5 um
Obsah kyslíku	<2E16/cm³
Obsah uhlíku	<2E16/cm³
OISF	<50/cm²
STIR (15x15mm)	<1,5 um
Životnost MCC	N / A
Povrchová kontaminace kovů Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr	≤5E10 atomů/cm²
dislokace Hustota	SEMI STD
Úlomky, škrábance, hrboly, opar, dotykové stopy, pomerančová kůra, důlky, praskliny, špína, kontaminace	Všechny Žádné
laser Mark	SEMI STD

2. Techniky nanášení kovů

2.1 Atmospheric Pressure CVD (APCVD)

APCVD je jednou z CVD metod pro depozici dopovaných nebo nedopovaných oxidů. Díky nízké teplotě v procesu se získá nízká hustota a mírné pokrytí usazeným oxidem. Vysoký výkon substrátu pro nanášení kovů je velkou výhodou procesu APCVD.

2.2 Nízkotlaký CVD (LPCVD)

V metodě LPCVD se používá vakuum. Touto metodou lze na křemíkový substrát nanést tenký film nitridu křemíku (Si3N4), oxynitridu křemíku (SiON), oxidu křemičitého (SiO2) a wolframu, čímž se získá pokovený plátek s vysokou konformitou.

2.3 Atomic Layer Deposition (ALD)

ALD je vylepšený proces CVD vhodný pro nanášení tenkých kovových filmů na Si substrát. Pomocí ALD lze ukládat 3D struktury velmi rovnoměrně. Jak izolační, tak vodivé filmy lze pěstovat na různých substrátech (polovodiče, polymery atd.).

Depozice tenkého filmu a metalizace na křemíkové destičky