Struttura del diodo a emissione di luce GaInP / AlInP
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality III-V materiale semiconduttore ternario is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. Struttura GaAs Epi del diodo a emissione di luce
No.1 GaAs LED Epitaxy
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
Materiale a strati | Spessore | Nota |
p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
Mg drogato |
p-GaP | - | |
p-AlInP | - | |
MQW | - | |
n-AlInP | - | |
DBR | - | |
Etch stop n-GaInP | 20 nm | |
Strato tampone | - | |
GaAs sub. | 350 um |
Il test PL ed El del wafer a diodi emettitori di luce quantistica è mostrato come diagramma:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
Layer Name | Materiale | Spessore |
P-cladding layer | P-AlInP | - |
Active layer | MQW | - |
N-cladding layer | N-AlInP | 900 nm |
Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
Strato tampone | N-GaAs | |
Substrato | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
Layer Name | Materiale | Spessore |
P-cladding layer | P-AlInP | - |
Active layer | MQW | - |
N-cladding layer | N-AlInP | - |
Strato tampone | N-GaAs | 300 nm |
Substrato | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q:We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, che mostra un grande potenziale per sostituire i materiali contenuti in alluminio, è un materiale semiconduttore critico solitamente coltivato su substrato GaAs. Le sue proprietà sono strettamente correlate alle condizioni di crescita, come il metodo di crescita, la temperatura del substrato, il tasso di crescita, l'orientamento del substrato, il rapporto III/V, ecc. Quindi InGaP è ideale per la crescita di eterostrutture per diverse applicazioni, come i LED rossi ad alta luminosità.
L'attrattiva dell'eterostruttura InGaP / GaAs deriva dal suo allineamento di banda, l'offset della banda di valenza (AEv = 0,24 – 0,40 eV) è significativamente maggiore dell'offset della banda di conduzione (Mc = 0,03 – 0,22 eV). Questo è considerato più favorevole della struttura a bande del sistema etero AlGaAs / GaAs.
InGaP è un'incisione altamente selettiva su GaAs, che viene utilizzato come strato di arresto dell'incisione nella nostra struttura epitassiale di LED. Ciò aumenterà l'uformità e la producibilità dei dispositivi a micro diodi emettitori di luce. Ma lo strato di arresto dell'etch GaInP aumenterà l'altezza della barriera energetica che deve essere superata quando gli elettroni fluiscono dal collettore al sub-collettore. In questa condizione, il guadagno di corrente CC della struttura del LED MQW diminuirà. Pertanto, lo strato di arresto dell'incisione di InGaP dovrebbe essere sufficientemente sottile da garantire le prestazioni del dispositivo.
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