சிலிக்கான் HEMT வேஃபரில் GaN

சிலிக்கான் HEMT வேஃபரில் GaN

Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:

விளக்கம்

1. சிலிக்கான் ஹெச்எம்டி வேஃபர், டி-மோட் மீது GaN

1.1 சிலிக்கான், D-MODE இல் GaN HEMT வேஃபரின் விவரக்குறிப்பு

செதில் அளவு 2″, 4″, 6″,8″
AlGaN/GaN HEMT அமைப்பு 1.2 ஐப் பார்க்கவும்
கேரியர் அடர்த்தி >9E12 செமீ2
ஹால் இயக்கம் /
தாள் எதிர்ப்பாற்றல் /
AFM RMS (nm) of 5x5um2 <0.25nm
வில்(உம்) <=30um
விளிம்பு விலக்கு <5மிமீ
SiN செயலற்ற அடுக்கு 0~5nm
u-GaN தொப்பி அடுக்கு 2nm
அல் கலவை 20-30%
AlGaN தடை அடுக்கு /
GaN சேனல் /
AlGaN தாங்கல் /
AlN /
அடி மூலக்கூறு பொருள் சிலிக்கான் அடி மூலக்கூறு
Si செதில் தடிமன் (μm) 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″)

 

1.2 சிலிக்கான், D-MODE இல் GaN HEMT வேஃபரின் அமைப்பு

2. சிலிக்கான் HEMT Epitaxy, E-MODE இல் GaN

செதில் அளவு 2″, 4″, 6″,8″
AlGaN/GaN HEMT அமைப்பு 1.2 ஐப் பார்க்கவும்
எஞ்சிய 2DEG அடர்த்தி (Vg=0 V) <1e18/cm3
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0.25nm
வில்(உம்) <=30um
விளிம்பு விலக்கு <5மிமீ
p-GaN /
u-GaN தொப்பி அடுக்கு /
அல் கலவை 20-30%
AlGaN தடை அடுக்கு /
GaN சேனல் /
AlGaN தாங்கல் /
அடி மூலக்கூறு பொருள் சிலிக்கான் அடி மூலக்கூறு
Si செதில் தடிமன் (μm) 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″)

 

3. RF பயன்பாட்டிற்கான சிலிக்கானில் காலியம் நைட்ரைடு HEMT வேஃபர்

செதில் அளவு 2″, 4″, 6″,8″
AlGaN/GaN HEMT அமைப்பு 1.2 ஐப் பார்க்கவும்
கேரியர் அடர்த்தி >9E12 செமீ2
ஹால் இயக்கம் /
தாள் எதிர்ப்பாற்றல் /
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0.25nm
வில்(உம்) <=30um
விளிம்பு விலக்கு <5மிமீ
SiN செயலற்ற அடுக்கு 0~5nm
u-GaN தொப்பி அடுக்கு /
அல் கலவை 20-30%
AlGaN தடை அடுக்கு /
GaN சேனல் /
AlGaN தாங்கல் /
AlN /
அடி மூலக்கூறு பொருள் சிலிக்கான் அடி மூலக்கூறு
Si அடி மூலக்கூறு எதிர்ப்புத்திறன் (Ω cm) > 3000
Si செதில் தடிமன் (μm) 1000um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″)

 

    உங்கள் வண்டியில் சேர்க்கப்பட்டது:
    வெளியேறுதல்