GaN em Silicone HEMT Wafer

GaN em Silicone HEMT Wafer

Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:

Descrição

1. GaN em Silicone HEMT Wafer, D-MODE

1.1 Especificação de GaN HEMT Wafer em Silício, D-MODE

Tamanho da bolacha 2″, 4″, 6″, 8″
Estrutura AlGaN/GaN HEMT Consulte 1.2
Densidade da portadora >9E12 cm2
Mobilidade do salão /
Resistividade da folha /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0,25nm
Arco (um) <=30um
exclusão de borda <5mm
Camada de passivação SiN 0~5nm
camada de cobertura u-GaN 2nm
Al composição 20-30%
camada de barreira AlGaN /
canal GaN /
Tampão AlGaN /
AlN /
Material do substrato Substrato de silício
Espessura do wafer de Si (μm) 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″)

 

1.2 Estrutura de GaN HEMT Wafer em Silício, D-MODE

2. GaN em Silicone HEMT Epitaxy, E-MODE

Tamanho da bolacha 2″, 4″, 6″, 8″
Estrutura AlGaN/GaN HEMT Consulte 1.2
Densidade residual de 2DEG (Vg=0 V) <1e18/cm3
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0,25nm
Arco (um) <=30um
exclusão de borda <5mm
p-GaN /
camada de cobertura u-GaN /
Al composição 20-30%
camada de barreira AlGaN /
canal GaN /
Tampão AlGaN /
Material do substrato Substrato de silício
Espessura do wafer de Si (μm) 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″)

 

3. Wafer HEMT de nitreto de gálio em silício para aplicação de RF

Tamanho da bolacha 2″, 4″, 6″, 8″
Estrutura AlGaN/GaN HEMT Consulte 1.2
Densidade da portadora >9E12 cm2
Mobilidade do salão /
Resistividade da folha /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0,25nm
Arco (um) <=30um
exclusão de borda <5mm
Camada de passivação SiN 0~5nm
camada de cobertura u-GaN /
Al composição 20-30%
camada de barreira AlGaN /
canal GaN /
Tampão AlGaN /
AlN /
Material do substrato Substrato de silício
Resistividade do substrato Si (Ω cm) > 3000
Espessura do wafer de Si (μm) 1000um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″)

 

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