Bolachas SiC

Bolachas SiC

Ganwafer, a SiC substrate supplier, offers semiconductor SiC wafer substrate, including 6H-SiC substrate and 4H-SiC substrate in production grade, research grade and dummy grade for researchers and industry manufacturers. We has developed SiC crystal growth technology and silicon carbide wafer manufacturing process, established a production line to manufacture bare silicon carbide wafer, which can be applied in GaN epitaxy devices, power devices, high-temperature devices and optoelectronic devices. SiC wafer fabrication have many advantages such as high frequency, high power, high temperature resistance, radiation resistance, anti-interference, small size and light weight.

Aqui mostra a especificação de detalhes:

Descrição

Quanto ao crescimento do substrato de SiC, o substrato de wafer de SiC é um material de cristal único semelhante a uma folha que corta, moe e polia o cristal de carboneto de silício ao longo de uma direção de cristal específica. Como um dos principais fabricantes de substrato de SiC, nos dedicamos a melhorar continuamente a qualidade do substrato atual e desenvolver substrato de SiC nu de grande porte.

1. Especificações da bolacha de carboneto de silício

1,1 6″ tipo N 4H SiC dopado com nitrogênio wafer de carboneto de silício condutor

PROPRIEDADE SUBSTRATO S4H-150-N-GANW-350                    S4H-150-N-GANW-500
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H Substrato SiC
Polytype 4H 4H
Diâmetro (150 ± 0,5) mm (150 ± 0,5) mm
Espessura (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Tipo transportadora do tipo n do tipo n
dopante Azoto Azoto
Resistividade (RT) (0,015 - 0,028) Ω · cm (0,015 - 0,028) Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV < 15μm < 15μm
Arco < 40μm < 40μm
Urdidura < 60μm < 60μm
Orientação superfície
fora do eixo 4 ° em direcção a <20/11> ± 0,5 ° 4 ° em direcção a <20/11> ± 0,5 °
orientação plana primário <20/11> ± 5,0 ° <20/11> ± 5,0 °
comprimento plana primário 47,50 mm ± 2,00 mm 47,50 mm ± 2,00 mm
Plano secundário Nenhum Nenhum
Acabamento de superfície dupla face polida dupla face polida
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
Rachaduras por lista de alta intensidade Nenhum (AB) Comprimento acumulado≤20mm, comprimento único≤2mm (CD)
Placas hexagonais por luz de alta intensidade Área cumulativa≤0,05% (AB) Área acumulada ≤ 0,1% (CD)
Áreas politipo por luz de alta intensidade Nenhum (AB) Área acumulada≤3%(CD)
Inclusões de carbono visual Área cumulativa≤0,05% (AB) Área acumulada≤3%(CD)
Arranhões por luz de alta intensidade Nenhum (AB) Comprimento acumulado≤1 x diâmetro da bolacha (CD)
Chip de borda Nenhum (AB) 5 permitidos, ≤1mm cada (CD)
Contaminação por luz de alta intensidade Nenhum -
área útil ≥ 90% -
exclusão de borda 3 milímetros 3 milímetros

1,2 4H SiC, Semi-isolamento de alta pureza (HPSI), especificação de wafer de 6″

4H SiC, V semi-isolante dopado

PROPRIEDADE SUBSTRATO S4H-150-SI-GANW-500
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H Substrato SiC
Polytype 4H 4H
Diâmetro (150 ± 0,5) mm (150 ± 0,5) mm
Espessura (500 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Tipo transportadora Semi-isolante Semi-isolante
dopante V dopado ou não dopado V dopado ou não dopado
Resistividade (RT) > 1E7 Ω · cm > 1E7 Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV <15μm <15μm
Arco < 40μm < 40μm
Urdidura <60μm <60μm
Orientação superfície
no eixo <0001> ± 0,5 ° <0001> ± 0,5 °
fora do eixo Nenhum Nenhum
exclusão de borda 3 milímetros 3 milímetros

 

Substrato 4H-SIC de 1,3 4 polegadas, Tipo N

PROPRIEDADE SUBSTRATO S4H-100-N-GANW-350               S4H-100-N-GANW-500
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H Substrato SiC
Polytype 4H 4H
Diâmetro (100 ± 0,5) mm (100 ± 0,5) mm
Espessura (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Tipo transportadora do tipo n do tipo n
dopante Azoto Azoto
Resistividade (RT) (0,015 - 0,028) Ω · cm (0,015 - 0,028) Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV <10μm <10μm
Arco < 25μm < 25μm
Urdidura <45μm <45μm
Orientação superfície
no eixo <0001> ± 0,5 ° <0001> ± 0,5 °
fora do eixo 4 ° ou 8 ° em direção a <11-20> ± 0,5 ° 4 ° ou 8 ° em direção a <11-20> ± 0,5 °
orientação plana primário <20/11> ± 5,0 ° <20/11> ± 5,0 °
comprimento plana primário 32,50 milímetros ± 2,00 milímetros 32,50 milímetros ± 2,00 milímetros
orientação plana secundária Face de Si: 90 ° cw. da orientação plana ± 5 ° -
Face C: 90 ° ccw. da orientação plana ± 5 ° -
comprimento plana secundária 18.00 ± 2,00 milímetros 18.00 ± 2,00 milímetros
Acabamento de superfície dupla face polida dupla face polida
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
Rachaduras por lista de alta intensidade Nenhum (AB) Comprimento acumulado≤10mm, comprimento único≤2mm (CD)
Placas hexagonais por luz de alta intensidade Área cumulativa≤0,05% (AB) Área acumulada ≤ 0,1% (CD)
Áreas politipo por luz de alta intensidade Nenhum (AB) Área acumulada≤3%(CD)
Inclusões de carbono visual Área cumulativa≤0,05% (AB) Área acumulada≤3%(CD)
Arranhões por luz de alta intensidade Nenhum (AB) Comprimento acumulado≤1 x diâmetro da bolacha (CD)
Chip de borda Nenhum (AB) 5 permitidos, ≤1mm cada (CD)
Contaminação por luz de alta intensidade Nenhum -
área útil ≥ 90% -
exclusão de borda Dois milímetros Dois milímetros

1,4 4H SiC, Semi-isolamento de alta pureza (HPSI), especificação de wafer de 4″

4H SiC, semi-isolante dopado em V, especificação de wafer de 4″

PROPRIEDADE SUBSTRATO S4H-100-SI-GANW-350               S4H-100-SI-GANW-500
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H Substrato SiC
Polytype 4H 4H
Diâmetro (100 ± 0,5) mm (100 ± 0,5) mm
Espessura (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Tipo transportadora Semi-isolante Semi-isolante
dopante V dopado ou não dopado V dopado ou não dopado
Resistividade (RT) > 1E7 Ω · cm > 1E7 Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV >10μm >10μm
Arco >25μm >25μm
Urdidura >45μm >45μm
Orientação superfície
no eixo <0001> ± 0,5 ° <0001> ± 0,5 °
fora do eixo Nenhum Nenhum
orientação plana primário <20/11> ± 5,0 ° <20/11> ± 5,0 °
comprimento plana primário 32,50 milímetros ± 2,00 milímetros 32,50 milímetros ± 2,00 milímetros
orientação plana secundária Face de Si: 90 ° cw. da orientação plana ± 5 ° -
Face C: 90 ° ccw. da orientação plana ± 5 ° -
comprimento plana secundária 18.00 ± 2,00 milímetros 18.00 ± 2,00 milímetros
Acabamento de superfície dupla face polida dupla face polida
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
Rachaduras por lista de alta intensidade Nenhum (AB) Comprimento acumulado≤10mm, comprimento único≤2mm (CD)
Placas hexagonais por luz de alta intensidade Área cumulativa≤0,05% (AB) Área acumulada ≤ 0,1% (CD)
Áreas politipo por luz de alta intensidade Nenhum (AB) Área acumulada≤3%(CD)
Inclusões de carbono visual Área cumulativa≤0,05% (AB) Área acumulada≤3%(CD)
Arranhões por luz de alta intensidade Nenhum (AB) Comprimento acumulado≤1 x diâmetro da bolacha (CD)
Chip de borda Nenhum (AB) 5 permitidos, ≤1mm cada (CD)
Contaminação por luz de alta intensidade Nenhum -
área útil ≥ 90% -
exclusão de borda Dois milímetros Dois milímetros

1,5 4H N-Type SiC, 3″ (76,2mm) Especificação de Wafer

PROPRIEDADE SUBSTRATO S4H-76-N-GANW-330               S4H-76-N-GANW-430
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H Substrato SiC
Polytype 4H
Diâmetro (76,2 ± 0,38) mm
Espessura (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Tipo transportadora do tipo n
dopante Azoto
Resistividade (RT) 0,015 - 0.028Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV / Bow / urdidura <25μm
Orientação superfície
no eixo <0001> ± 0,5 °
fora do eixo 4 ° ou 8 ° em direcção a <20/11> ± 0,5 °
orientação plana primário <20/11> ± 5,0 °
comprimento plana primário 22,22 milímetros ± 3,17 milímetros
0,875 "± 0,125"
orientação plana secundária Si-face: 90° cw. da orientação plana ± 5°
C-face: 90° ccw. da orientação plana ± 5°
comprimento plana secundária 11,00 ± 1,70 milímetros
Acabamento de superfície cara simples ou dupla polido
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
Raspadinha Nenhum
área útil ≥ 90%
exclusão de borda Dois milímetros
Lascas de borda por iluminação difusa (máx.) Consulte nossa equipe de engenheiros
Rachaduras por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Área cumulativa de inclusões de carbono visual Consulte nossa equipe de engenheiros
Arranhões por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Contaminação por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros

 

1,6 4H Semi-isolante SiC, 3″ (76,2mm) Especificação de Wafer

(Substrato de SiC semi-isolante de alta pureza (HPSI) está disponível)

PROPRIEDADE UBSTRATE S4H-76-N-GANW-330               S4H-76-N-GANW-430
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H Substrato SiC
Polytype 4H
Diâmetro (76,2 ± 0,38) mm
Espessura (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Tipo transportadora semi-isolante
dopante V dopado ou não dopado
Resistividade (RT) > 1E7 Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV / Bow / urdidura >25μm
Orientação superfície
no eixo <0001> ± 0,5 °
fora do eixo 4 ° ou 8 ° em direcção a <20/11> ± 0,5 °
orientação plana primário <20/11> ± 5,0 °
comprimento plana primário 22,22 milímetros ± 3,17 milímetros
0,875 "± 0,125"
orientação plana secundária Si-face: 90° cw. da orientação plana ± 5°
C-face: 90° ccw. da orientação plana ± 5°
comprimento plana secundária 11,00 ± 1,70 milímetros
Acabamento de superfície cara simples ou dupla polido
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
Raspadinha Nenhum
área útil ≥ 90%
exclusão de borda Dois milímetros
Lascas de borda por iluminação difusa (máx.) Consulte nossa equipe de engenheiros
Rachaduras por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Área cumulativa de inclusões de carbono visual Consulte nossa equipe de engenheiros
Arranhões por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Contaminação por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros

 

1.7 4H N-Type SiC, 2″ (50,8mm) Especificação de Wafer

PROPRIEDADE SUBSTRATO S4H-51-N-GANW-330              S4H-51-N-GANW-430
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H Substrato SiC
Polytype 4H
Diâmetro (50,8 ± 0,38) mm
Espessura (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Tipo transportadora do tipo n
dopante Azoto
Resistividade (RT) ,012-0,0028 Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
Orientação superfície
no eixo <0001> ± 0,5 °
fora do eixo 4 ° ou 8 ° em direcção a <20/11> ± 0,5 °
orientação plana primário Paralelas {1-100} ± 5 °
comprimento plana primário 16,00 ± 1,70 milímetros
orientação plana secundária Si-face: 90° cw. da orientação plana ± 5°
C-face: 90° ccw. da orientação plana ± 5°
comprimento plana secundária 8,00 ± 1,70 milímetros
Acabamento de superfície cara simples ou dupla polido
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
área útil ≥ 90%
exclusão de borda 1 mm
Lascas de borda por iluminação difusa (máx.) Consulte nossa equipe de engenheiros
Rachaduras por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Área cumulativa de inclusões de carbono visual Consulte nossa equipe de engenheiros
Arranhões por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Contaminação por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros

 

1,8 4H Semi-isolante SiC, 2″ (50,8mm) Especificação de Wafer

(Substrato de SiC semi-isolante de alta pureza (HPSI) está disponível)

PROPRIEDADE SUBSTRATO S4H-51-SI-GANW-250    S4H-51-SI-GANW-330     S4H-51-SI-GANW-430
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 4H SEMI Substrato
Polytype 4H
Diâmetro (50,8 ± 0,38) mm
Espessura (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Resistividade (RT) > 1E7 Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco
Densidade Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
Orientação superfície
no eixo <0001> ± 0,5 °
fora do eixo 3,5 ° em direcção a <20/11> ± 0,5 °
orientação plana primário Paralelas {1-100} ± 5 °
comprimento plana primário 16,00 ± 1,70 milímetros
orientação plana secundária Si-face: 90° cw. da orientação plana ± 5°
C-face: 90° ccw. da orientação plana ± 5°
comprimento plana secundária 8,00 ± 1,70 milímetros
Acabamento de superfície cara simples ou dupla polido
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
área útil ≥ 90%
exclusão de borda 1 mm
Lascas de borda por iluminação difusa (máx.) Consulte nossa equipe de engenheiros
Rachaduras por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Área cumulativa de inclusões de carbono visual Consulte nossa equipe de engenheiros
Arranhões por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Contaminação por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros

 

1.9 6H N-Type SiC, 2″ (50,8mm) Especificação de Wafer

PROPRIEDADE SUBSTRATO S6H-51-N-GANW-250 S6H-51-N-GANW-330 S6H-51-N-GANW-430
Descrição A/B Grau de Produção C/D Grau de Pesquisa D Manequim Grau 6H Substrato SiC
Polytype 6H
Diâmetro (50,8 ± 0,38) mm
Espessura (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Tipo transportadora do tipo n
dopante Azoto
Resistividade (RT) 0,02 ~ 0,1 Ω · cm
Rigidez da superfície < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polimento óptico de face C)
FWHM A<30 segundos de arco &n 1 mm
Lascas de borda por iluminação difusa (máx.) Consulte nossa equipe de engenheiros
Rachaduras por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Área cumulativa de inclusões de carbono visual <0001> ± 0,5 °
fora do eixo 3,5 ° em direcção a <20/11> ± 0,5 °
orientação plana primário Paralelas {1-100} ± 5 °
comprimento plana primário 16,00 ± 1,70 milímetros
orientação plana secundária Si-face: 90° cw. da orientação plana ± 5°
C-face: 90° ccw. da orientação plana ± 5°
comprimento plana secundária 8,00 ± 1,70 milímetros
Acabamento de superfície cara simples ou dupla polido
Embalagem Caixa de wafer única ou caixa de wafer múltipla
área útil ≥ 90%
exclusão de borda 1 mm
Lascas de borda por iluminação difusa (máx.) Consulte nossa equipe de engenheiros
Rachaduras por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Área cumulativa de inclusões de carbono visual Consulte nossa equipe de engenheiros
Arranhões por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros
Contaminação por luz de alta intensidade Consulte nossa equipe de engenheiros

 

1,10 bolacha de cristal de semente SiC

Item Tamanho Tipo Orientação Espessura MPD Condição de Polimento
No.1 105 milímetros 4H, tipo N C(0001)4graus.off 500+/-50um <=1/cm-2 -
Nº 2 105 milímetros 4H, tipo N C(0001)4graus.off 500+/-50um <=1/cm-2 -

 

1.11 Especificações de wafer SiC 4H tipo N ou semi-isolante

Tamanho: 5mm*5mm, 10mm*10mm, 15mm*15mm, 20mm*20mm;

Espessura: 330μm/430μm.

1.12 especificações de wafer SiC de avião

Tamanho: 40mm*10mm, 30mm*10mm, 20mm*10mm, 10mm*10mm;

Tipo 6H/4H N Espessura: 330μm/430μm ou personalizado;

6H/4H Semi-isolante Espessura: 330μm/430μm ou personalizado.

2. Propriedades do material de carboneto de silício

PROPRIEDADES DO MATERIAL DE CARBONETO DE SILICONE
Polytype Cristal Único 4H Único 6H Cristal
parâmetros de rede a = 3,076 Â a = 3,073 Â
c = 10,053 Â c = 15,117 Â
empilhamento Sequence ABCB ABCACB
Band-gap 3,26 eV 3,03 eV
Densidade 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coeficiente de expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice de refração nenhuma = 2,719 nenhuma = 2,707
NE = 2,777 NE = 2,755
Constante dielétrica 9.6 9.66
Condutividade térmica 490 W / mK 490 W / mK
Quebre-Down campo elétrico 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Saturação Deriva Velocity 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Mobilidade Electron 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
Mobilidade buraco 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Mohs Dureza ~9 ~9

 

3. Perguntas e respostas do SiC Wafer

3.1 Qual é a barreira do SiC Wafer se tornar uma ampla aplicação igual a Silicon Wafer?

Devido à estabilidade física e química, o crescimento do cristal de SiC é extremamente difícil. Portanto, dificulta seriamente o desenvolvimento de substrato de wafer de SiC nos dispositivos semicondutores e aplicações eletrônicas.

Existem muitos tipos de cristal de carboneto de silício como as diferentes sequências de empilhamento, o que também é chamado de polimorfismo. Os polimorfos de carboneto de silício incluem 4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC e etc. Portanto, é difícil crescer cristal de carboneto de silício de grau eletrônico.

3.2 Que tipo de wafer SiC você oferece?

A pastilha de carboneto de silício que você precisa pertence à fase cúbica. Existem cúbicos (C), hexagonais (H) e rômbicos (R). O que temos são hexagonais, como 4H-SiC e 6H-SiC. C é cúbico, como carbeto de silício 3C.

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