Substrato de GaN semipolar independente

Substrato de GaN semipolar independente

Em termos do crescimento de dispositivos de comprimento de onda mais longo, como emissores amarelos ou mesmo vermelhos, incluindo LEDs e LDs, (11-22) o substrato GaN semipolar será o material mais promissor, embora ainda existam muitos desafios enormes. Talvez esses problemas possam ser resolvidos melhorando a tecnologia de crescimento e o projeto estrutural. Além disso, o GaN semipolar cultivado com (11-22) diretamente em safira plana será uma grande vantagem para a aplicação comercial desta tecnologia.

A PAM-XIAMEN oferece Substrato a granel de GaN Semipolar Independente, incluindo um dopado com Si, não dopado e semi-isolante com orientação (10-11) e (11-22), respectivamente. A especificação detalhada do substrato GaN semipolar é a seguinte:

Descrição

1. Substrato de GaN semipolar dopado com Si (10-11)

Item PAM-FS-GAN(10-11)-N
Dimensão 5 x 10 mm2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação (10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5°
(10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

2. Substrato de GaN autossustentável semipolar (10-11) não dopado

Item PAM-FS-GAN(10-11)-U
Dimensão 5 x 10 mm2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação (10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5°
(10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

3. Substrato Semipolar Independente Semi-isolante (10-11) GaN

Item PAM-FS-GAN(10-11)-SI
Dimensão 5 x 10 mm2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação (10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5°
(10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução Semi-isolante
Resistividade (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

4. Substrato de GaN semipolar dopado com Si (11-22)

Item PAM-FS-GAN(11-22)-N
Dimensão 5 x 10 mm2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

5. Substrato de GaN semipolar independente não dopado (11-22)

Item PAM-FS-GAN(11-22)-U
Dimensão 5 x 10 mm2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

6. Substrato autônomo semi-isolante semipolar (11-22) GaN

Item PAM-FS-GAN(11-22)-SI
Dimensão 5 x 10 mm2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo de condução Semi-isolante
Resistividade (300K) > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

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