Substrato de GaN semipolar independente
Em termos do crescimento de dispositivos de comprimento de onda mais longo, como emissores amarelos ou mesmo vermelhos, incluindo LEDs e LDs, (11-22) o substrato GaN semipolar será o material mais promissor, embora ainda existam muitos desafios enormes. Talvez esses problemas possam ser resolvidos melhorando a tecnologia de crescimento e o projeto estrutural. Além disso, o GaN semipolar cultivado com (11-22) diretamente em safira plana será uma grande vantagem para a aplicação comercial desta tecnologia.
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Substrato de GaN semipolar dopado com Si (10-11)
Item | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
Dimensão | 5 x 10 mm2 |
Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
Orientação | (10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° |
(10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
Tipo de condução | N-tipo |
Resistividade (300K) | < 0,05 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
2. Substrato de GaN autossustentável semipolar (10-11) não dopado
Item | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
Dimensão | 5 x 10 mm2 |
Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
Orientação | (10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° |
(10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
Tipo de condução | N-tipo |
Resistividade (300K) | < 0,1 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
3. Substrato Semipolar Independente Semi-isolante (10-11) GaN
Item | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
Dimensão | 5 x 10 mm2 |
Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
Orientação | (10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° |
(10-11) plano fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
Tipo de condução | Semi-isolante |
Resistividade (300K) | >106 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
4. Substrato de GaN semipolar dopado com Si (11-22)
Item | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
Dimensão | 5 x 10 mm2 |
Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
Orientação | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
Tipo de condução | N-tipo |
Resistividade (300K) | < 0,05 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
5. Substrato de GaN semipolar independente não dopado (11-22)
Item | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
Dimensão | 5 x 10 mm2 |
Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
Orientação | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
Tipo de condução | N-tipo |
Resistividade (300K) | < 0,1 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
6. Substrato autônomo semi-isolante semipolar (11-22) GaN
Item | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
Dimensão | 5 x 10 mm2 |
Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
Orientação | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
Tipo de condução | Semi-isolante |
Resistividade (300K) | > 106 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!