AlGaN em Safira/Silício

AlGaN em Safira/Silício

AlGaN (nitreto de gálio de alumínio) é um wafer semicondutor, que é composto de nitreto de alumínio e nitreto de gálio, e o intervalo de banda AlxGa1-xN pode ser adaptado de 3,4eV (xAl=0) a 6,2eV (xAl=1). Al% da composição AlGaN pode ser 0,1-0,5. Comparado com o GaN, o AlGaN tem um gap de banda mais amplo e maior resistência à ruptura dielétrica, e espera-se que produza dispositivos de energia com perdas menores do que o GaN.

A aplicação do semicondutor AlGaN é para a estrutura LED, LD e HEMT. E agora por favor veja abaixo especificação:

Descrição

Ganwafer offers AlGaN template, which AlGaN layers are commonly grown on sapphire or (111) Si substrate. Our AlGaN epitaxial wafer fab can also make aluminum gallium nitride semiconductor wafer with additional GaN layers. Sapphire is one of the most commonly material used for growing AlGaN template. Due to the large lattice mismatch and thermal mismatch between AlGaN-based material and sapphire substrate, AlGaN-based materials are usually grown on AIN/sapphire templates.

1. Especificações do modelo AlGaN

1,1 2" (50,8 mm) AlGaN Epi em modelo de safira

Item GANW-AlGaNT-SA-50
Diâmetro 50,8 mm ± 0,4 mm
Orientação: C(0001), no eixo
Tipo de condução -
Espessura da camada Epi: 200nm-1000nm
Material Epi Layer AlGaN(ex.Al(0,1)Ga(0,9)N)
Estrutura Tampão AlGaN/AlN/Substrato de Safira
Substrato: safira
Orientação Plano Um avião
DRX FWHM de (0002) <200 arcsec.
Área de superfície utilizável ≥90%
Superfície: Lado único polido, Epi-ready

 

Filmes de nitreto de gálio de alumínio de 1,2 4" (100 mm) em modelo de safira

Item GANW-AlGaNT-SA-100
Diâmetro 100 mm ± 0,4 mm
Orientação: C(0001), no eixo
Tipo de condução -
Espessura da camada Epi: 2um,3um
Material Epi Layer AlGaN(ex.Al(0,2)Ga(0,8)N)
Estrutura Tampão AlGaN/AlN/Substrato de Safira
Substrato: safira
Orientação Plano Um avião
DRX FWHM de (0002) <200 arcsec.
Área de superfície utilizável ≥90%
Superfície: Lado único polido, Epi-ready

 

Modelo de semicondutor AlGaN de 1,3 6" (150 mm) em silício

Item GANW-AlGaNT-Silicon-150
Diâmetro 150 mm ± 0,4 mm
Orientação: C(0001), no eixo
Tipo de condução -
Espessura da camada Epi: 200nm-3000nm
Material Epi Layer AlGaN(ex.Al(0,2)Ga(0,8)N)
Estrutura Tampão AlGaN/AlN/Substrato de Safira
Substrato: 6”,Silicon, tipo p, (111), 1000um de espessura
Orientação Plano -
DRX FWHM de (0002) -arcsec.
Área de superfície utilizável ≥90%
Superfície: Lado único polido, Epi-ready

 

2. Sobre o material semicondutor AlGaN

Como um importante material semicondutor de banda direta de terceira geração, a liga ternária Al-Ga-N tem aplicações potenciais nas áreas de orientação ultravioleta, alerta ultravioleta e comunicações externas. Como não há liga de AlGaN natural, a deposição de vapor de composto orgânico metálico (MOCVD) ou epitaxia de feixe molecular (MBE) é geralmente usada para crescer até 2 ~ 3um de materiais semicondutores de AlGaN na bolacha de safira. No nitreto de alumínio e gálio, o teor de alumínio está intimamente relacionado à largura de banda proibida do material, o que determina diretamente sua faixa de aplicação. Portanto, é de grande importância determinar com precisão o conteúdo de Al em AlGaN. Atualmente, a determinação do teor de Al na camada epitaxial de AlGaN geralmente adota métodos físicos não destrutivos, como método de retroespalhamento Rutherf (RBS), método de transmissão de luz ultravioleta visível (UV-VIS), método de difração de raios X de alta resolução (HRXRD ) e análise de microárea de sonda de elétrons (EPMA) e assim por diante.

3. Propriedades Ópticas do Semicondutor AlGaN

O filme fino de AlGaN é cultivado em um substrato de safira c-plano polido duplo usando a tecnologia MOCVD. A fim de estudar ainda mais a qualidade e as propriedades ópticas lineares do filme óptico, foi realizada a caracterização óptica básica do filme. À temperatura ambiente, o espectrômetro ultravioleta visível é usado para medir se o material semicondutor AlGaN rico em Al tem um limite de absorção nítido na região do ultravioleta próximo, e a posição do limite de absorção muda significativamente com o teor de Al. Também mostra que a incorporação de Al modula efetivamente o gap óptico do material de nitreto de gálio.

 

Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados ​​para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!

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