Deposição de filme fino e metalização em wafers de silício
Ganwafer, a metal deposition manufacturing company, offers metal film deposition services on silicon by various metal thin film deposition techniques, such as evaporating, sputtering, LPCVD, ALD and etc. All the metal deposition on silicon wafer is supplied at different stress level with high thickness uniformity. The metal deposition process forms contacts in doped area between the semiconductor and conducting path. For our metal deposition service, we use metal and ITO (indium tin oxides) material to prepare electrodes for silicon substrate, and use non-metallic materials to grow sacrificial and insulating dielectric layers on silicon substrate.
- Descrição
- Investigação
Descrição
Durante o processo de deposição de metal, existem vários requisitos cruciais para dispositivos microeletrônicos integrados, que devem ser seguidos:
A pureza do metal deve ser tão alta quanto suficiente;
É possível integrar camadas empilhadas;
A capacidade de carga atual deve ser alta;
A resistência de contato entre metal e semicondutor deve ser baixa;
O processo de metalização deve ser simples;
O material para metalização deve ser resistente à corrosão e ter longa vida útil;
O material para deposição deve ter excelente adesão sobre óxidos de silício.
Tome como exemplo os seguintes parâmetros técnicos do nosso wafer de silício metálico de deposição:
1. Parâmetros Técnicos de Deposição de Metal em Semicondutor
| Substrato de Si de 4″ + SiO2 + TiO2 + Pt | ||
| Item | Parâmetros | |
| Material | Silício Monocristalino | |
| Grau | Primeiro Grau | |
| Método crescimento | CZ | |
| Diâmetro | 100,0±0,3mm, 4″ | 100 ± 0,3 mm, 4″ |
| Tipo de condutividade | Tipo N | Tipo N |
| dopante | Fósforo | Não dopado |
| Orientação | <100>±0,5° | [111]±0,5° |
| Espessura | 300±25μm (Espessura Total) | 525±25μm |
| Resistividade | 1-10Ωcm | n / D |
| Flat Primário | Apartamentos SEMI DST | Apartamentos SEMI DST |
| Plano secundário | Apartamentos SEMI DST | Apartamentos SEMI DST |
| Acabamento de superfície | Um lado polido | |
| Borda arredondada | Borda arredondada por padrão SEMI | |
| Si Sub/SiO2/TiO2/Pt | Espessura Total 300μm Espessura do Substrato Si 289μm Espessura de SiO2 da 1ª Camada Intermediária 10.000 Angstrom Espessura Ti da 2ª Camada Média 500 Angstrom Camada Superior Pt 5000 Angstrom |
Espessura do Substrato Si 525μm 1ª Camada Média SiO2 Espessura 300 Angstrom Espessura Ti da 2ª Camada Média 20 Angstrom Camada Superior Pt Angstrom |
| Partícula | SEMI DST | |
| TTV | <10um | |
| Arco / Urdidura | <30um | |
| TIR | <5µm | |
| Conteúdo de oxigênio | <2E16/cm3 | |
| Teor de Carbono | <2E16/cm3 | |
| OISF | <50/cm² | |
| MEXER (15x15mm) | <1,5µm | |
| Vida útil da MCC | N / D | |
| Contaminação de superfície metálica Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr |
≤5E10 átomos/cm2 | |
| Densidade deslocamento | SEMI DST | |
| Lascas, arranhões, solavancos, neblina, marcas de toque, casca de laranja, caroços, rachaduras, sujeira, contaminação | Todos Nenhum | |
| Laser Mark | SEMI DST | |
2. Técnicas de Deposição de Metal
2.1 Pressão Atmosférica CVD (APCVD)
APCVD é um dos métodos CVD para deposição de óxidos dopados ou não dopados. Devido à baixa temperatura no processo, será obtida uma baixa densidade e uma cobertura moderada do óxido depositado. O alto rendimento do substrato de deposição de metal é uma grande vantagem do processo APCVD.
2.2 CVD de Baixa Pressão (LPCVD)
No método LPCVD, o vácuo é usado. Nitreto de silício (Si3N4), oxinitreto de silício (SiON), dióxido de silício (SiO2) e filme fino de tungstênio podem ser depositados sobre substrato de silício por este método, obtendo-se o wafer metalizado com alta conformidade.
2.3 Deposição de Camada Atômica (ALD)
ALD é um processo CVD aperfeiçoado adequado para a deposição de filmes finos metálicos sobre substrato de Si. O uso de ALD pode depositar estruturas 3D de maneira muito uniforme. Tanto os filmes isolantes quanto os condutores podem ser cultivados em diferentes substratos (semicondutores, polímeros, etc.).
