InAs Wafer

InAs Wafer

Compound semiconductor indium arsenide (InAs) wafer for sale is composed of indium and arsenic III-V elements grown by LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Ganwafer offers indium arsenide substrate in epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientations as terahertz radiation source.

O semicondutor composto de arseneto de índio é um material bandgap direto, que é semelhante ao arseneto de gálio (GaAs). Às vezes, InAs é usado com InP. InAs é ligado com GaAs formando arsenieto de índio e gálio. Mais especificações da bolacha de arseneto de índio, consulte o seguinte:

Descrição

1. Especificações do InAs Wafer

1.1. Especificação de bolacha de arseneto de índio de 4″

Item Especificações
dopante não dopado Stannum Enxofre Zinco
Tipo de condução N-tipo N-tipo N-tipo P-tipo
Diâmetro da bolacha 4 "
wafer Orientação (100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha 900±25um
Comprimento Plano primária 16±2mm
Comprimento Plano secundário 8±1mm
Concentração transportadora 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilidade ≥2×104cm2/Vs 7000-20000cm2/Vs 6000-20000cm2/Vs 100-400cm2/Vs
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <15um
ARCO <15um
URDIDURA <20um
Marcação a laser a pedido
Acabamento de superfície P/E, P/P

 

1.2. Especificação de substrato de arseneto de índio de 3″

Item Especificações
dopante não dopado Stannum Enxofre Zinco
Tipo de condução N-tipo N-tipo N-tipo P-tipo
Diâmetro da bolacha 3 "
wafer Orientação (100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha 600±25um
Comprimento Plano primária 22±2mm
Comprimento Plano secundário 11±1mm
Concentração transportadora 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilidade ≥2×104cm2/Vs 7000-20000cm2/Vs 6000-20000cm2/Vs 100-400cm2/Vs
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <12um
ARCO <12um
URDIDURA <15um
Marcação a laser a pedido
Acabamento de superfície P/E, P/P
Preparado para Epi sim
Pacote Recipiente ou cassete de wafer único
Preparado para Epi sim
Pacote Recipiente ou cassete de wafer único

 

1.3. Especificação de 2″ Semicondutor Composto InAs Wafer

Item Especificações
dopante não dopado Stannum Enxofre Zinco
Tipo de condução N-tipo N-tipo N-tipo P-tipo
Diâmetro da bolacha 2 "
wafer Orientação (100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha 500±25um
Comprimento Plano primária 16±2mm
Comprimento Plano secundário 8±1mm
Concentração transportadora 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilidade ≥2×104cm2/Vs 7000-20000cm2/Vs 6000-20000cm2/Vs 100-400cm2/Vs
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <10um
ARCO <10um
URDIDURA <12um
Marcação a laser a pedido
Acabamento de superfície P/E, P/P
Preparado para Epi sim
Pacote Recipiente ou cassete de wafer único

 

2. Mapa de Planicidade Costurado de InAs Wafer:

Stitched Flatness Map of InAs Wafer

3. Aplicações de Arseneto de Índio

O cristal de arseneto de índio tem alta mobilidade eletrônica e razão de mobilidade (μe/μh=70), baixo efeito de resistência do magneto e pequeno coeficiente de resistência à temperatura. Assim, a solução de arseneto de índio é ideal para a fabricação de dispositivos Hall e dispositivos magneto-resistivos.

O substrato de InAs de cristal único pode crescer InAsSb/InAsPSb, InAsPSb e outros materiais de heteroestrutura para produzir dispositivos emissores de luz infravermelha com um comprimento de onda de 2-12um.

Substratos de cristal único de arseneto de índio também podem ser usados ​​para crescer epitaxialmente materiais de estrutura de superrede InAsPSb para produzir lasers de cascata quântica de infravermelho médio. Esses dispositivos infravermelhos têm boas perspectivas de aplicação nas áreas de detecção de gás e comunicação de fibra óptica de baixa perda.

4. Influência do Processo de Recozimento nas Camadas de Acumulação de Elétrons de Superfície de InAs Wafer

Use espectroscopia Raman para investigar o efeito da temperatura de recozimento nas propriedades ópticas de camadas de acúmulo de elétrons na superfície de wafer de arseneto de índio tipo n (100). O resultado mostra que os picos Raman causados ​​por fônons LO não rastreados desaparecerão quando a temperatura aumentar. Também podemos ver que a camada de acúmulo de elétrons na superfície do arseneto de índio é eliminada pelo recozimento. O mecanismo analisado por difração de raios X, espectroscopia de fotoelétrons de raios X e microcópia eletrônica de transmissão de alta resolução mostra fases amorfas de In2O3 e As2O3 acumuladas no substrato wafer de InAs durante o processo de recozimento; um fino cristalino Como um filme fino formado na interface entre a camada de óxido e o substrato da pastilha, levando à diminuição da espessura da camada de elétrons da superfície.

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