GaSb Wafer

Wafer GaSb

Gallium antimonide (GaSb) material from Ganwafer a gallium antimonide wafer supplier is an important substrate material for manufacturing 2~4um lasers, infrared light-emitting tubes and high-speed low-noise avalanche photodiodes. Its three- and quaternary compound epitaxial growth has good lattice matching, and it is one of the ideal light source materials for manufacturing optical communication devices. Device manufacturing on single crystal GaSb substrate requires the preparation of a stable oxide layer with low interface density, high resistivity, high breakdown voltage and suitable for high-temperature processes. More about GaSb (Gallium Antimonide) crystal substrates please contact us.

Descrição

As one of important III–V compound semiconductor materials, gallium antimonide is applied in optoelectronic devices. Because of the gallium antimonide properties, such as high quantum efficiency, high hole mobility, and super lattices with customized optical and transport characteristics, devices fabricated on GaSb substrate is ideal for the mid-infrared (2-5um and 8-14um wavelength) applications, like imaging sensors for fire detection, surveillance system and environmental pollution monitors.

1. Especificação de Wafer GaSb de 4″ pronto para Epitaxy

Item Especificações
dopante não dopado Zinco Telúrio
Tipo de condução P-tipo P-tipo N-tipo
Diâmetro da bolacha 4 "
wafer Orientação (100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha 800±25um
Comprimento Plano primária 32,5 ± 2,5 mm
Comprimento Plano secundário 18±1mm
Concentração transportadora (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilidade 600-700cm2/Vs 200-500cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
EPD <2×103cm-2
TTV <15um
ARCO <15um
URDIDURA <20um
Marcação a laser a pedido
Acabamento de superfície P/E, P/P
Preparado para Epi sim
Pacote Recipiente ou cassete de wafer único

 

2. Especificação de wafer de antimônio de gálio de 3″

Item Especificações
Tipo de condução P-tipo P-tipo N-tipo
dopante não dopado Zinco Telúrio
Diâmetro da bolacha 3 "
wafer Orientação (100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha 600±25um
Comprimento Plano primária 22±2mm
Comprimento Plano secundário 11±1mm
Concentração transportadora (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilidade 600-700cm2/Vs 200-500cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
EPD <2×103cm-2
TTV <12um
ARCO <12um
URDIDURA <15um
Marcação a laser a pedido
Acabamento de superfície P/E, P/P
Preparado para Epi sim
Pacote Recipiente ou cassete de wafer único

 

3. Especificação de substrato de wafer de 2″ GaSb (antimonito de gálio)

Item Especificações
dopante não dopado Zinco Telúrio
Tipo de condução P-tipo P-tipo N-tipo
Diâmetro da bolacha 2 "
wafer Orientação (100) ± 0,5 °
Espessura da bolacha 500±25um
Comprimento Plano primária 16±2mm
Comprimento Plano secundário 8±1mm
Concentração transportadora (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilidade 600-700cm2/Vs 200-500cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
EPD <2×103cm-2
TTV <10um
ARCO <10um
URDIDURA <12um
Marcação a laser a pedido
Acabamento de superfície P/E, P/P
Pronto para Epi sim
Pacote Recipiente ou cassete de wafer único

 

Muitas características de dispositivos semicondutores estão intimamente relacionadas às características da superfície do semicondutor. Vale a pena notar que a pastilha de GaSb de cristal único é fácil de oxidar por oxigênio atmosférico formado por óxidos de superfície naturais com alguns nanômetros de espessura, pois possui uma superfície quimicamente reativa muito alta.

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