InAs (001) Substrat Üzerinde N-Tipi Katkısız InAs'ın Homoepitaksisi
İndiyum arsenit (InAs) wafer material has great potential for fabricating different devices since its high electron mobility, narrow bandgap, high carrier concentration, and lattice-matched systems (InAs, GaSb, AlSb, and their alloys) at 6.1 A˚. Homoepitaxial InAs layer with different doping concentration on InAs (001) substrate can be used to manufacture avalanche photodiodes and photodetectors. InAs thin films with highly n-type doped, lightly doped or undoped are usually deposited as layers of plasmon-cladding and waveguide-space, which are for interband cascade laser and mid IR quantum cascade to help extend the wavelength. Homoepitaxy of InAs (001) can be offered by Ganwafer as below:
1. InAs Homoepitaksiyel Yapı
GANW200115-INAS
| Katman | Tür / Takviye | Taşıyıcı konsantrasyonu (cm-3) | Kalınlığı (um) |
| InAs(001) | n-tipi/ Katkısız | <2x1016 santimetre-3 | 2-2.5 |
| 2 inç n-tipi InAs (001), yoğun katkılı alt tabaka ((5-50)x1017 santimetre-3), arka cilalı | |||
Yüksek oranda katkılı InAs'lerin plazma frekansı, geniş bir orta-kızılötesi frekans aralığında kontrol edilebilir, bu nedenle InAs homoepitaksisi metamalzeme yapısı ve orta-IR plazmonik için idealdir. InAs (001) homoepitaksinin geniş uygulamaları ile, yüksek performanslı cihazların geliştirilmesini kolaylaştırmak için, düşük kusur yoğunluğuna ve atomik olarak pürüzsüz yüzeye sahip yüksek kaliteli epilayer talepleri artmaktadır. QC ve IC lazerler gibi karmaşık cihazlar için önemlidir.
2. InAs Homoepitaksi Epilayer Yüzey Morfolojisi ve Kusur Yoğunlukları
Yüzey morfolojisi ve kusur yoğunlukları, InAs ince filmin kalitesini gösteren önemli ölçülerdir. Homoepitaksi InAs, yüksek kaliteli kristalde büyütülmüş dalga kılavuzu katmanını gösteren ve daha sonra lazer yapı imalatında keskin arayüzlere katkıda bulunan pürüzsüz yüzey ile yüksek oranda katkılıdır. Yapı, bantlar arası / kuantum kaskad cihazlarda 100'e kadar tral olmayan ince katmanlardan oluşur.
InAs homoepitaksiyel büyümesi için, lazer yapısına nüfuz edebildiği ve lazerin performansını düşürmek için rekombinasyon merkezi haline gelebildiği için düşük kusur yoğunluğu kritiktir. Bu nedenle, düzgün yüzey morfolojisi ve düşük kusur yoğunluğu, cihazların mükemmel performansını gerçekleştirmesi için çok önemlidir. Gofret kalitesini sağlamak için, epitaksiyel büyüme işleminden sonra homoepitaksiyel InAs katmanını gözlemlemek için SEM, AFM ve DIC mikroskopisini kullanabilir ve ardından InAs (001) substratı üzerinde homoepitaksiyel InAs katmanının büyümesi için koşulları optimize edebiliriz.
Daha fazla bilgi için lütfen adresinden bize e-posta gönderinsales@ganwafer.comvetech@ganwafer.com.
