789nm AlGaInP / GaAs Lazer Yapısı
GaInAsP / GaInP / AlGaInP laser diode structure materials grown on GaAs substrate with a narrow waveguide is for fabricating laser diodes emitting wavelength at 789 nm. At present, the performance of infrared LD devices prepared by AlGaInP materials has surpassed other material systems. The semiconductor laser structure of AlGaInP / GaAs material system from Ganwafer is listed below for reference. Meanwhile, custom III-V epi yapılarılazer diyot için kabul edilebilir.
1. GaAs substratı üzerinde AlGaInP Lazer Yapısı
GANW200426-789nmLD
| Katman | d (nm) | Derinlik(nm) | Doping |
| n- GaAs Substrat (Si katkılı) | - | - | n>1e18 |
| n- GaAs (Konsantrasyon) | - | - | - |
| n- GalnP (LM, Konsantrasyon) | - | - | - |
| n-ln0.50Alxga0.5-xP (x: 0.00–>0.18; Konsantrasyon) |
- | - | - |
| n-ln0.50Alxga0.5-xP (Konsantrasyon) | - | - | - |
| n-ln0.50Alxga0.5-xP (x: 0.18->0.00; Konsantrasyon) |
- | - | ud |
| u – InGaP (LM, Konsantrasyon) | 150 | - | ud |
| u – lnGaAsP QW (CS,+1%) (λPL= 789 nm) |
- | - | ud |
| u- InGaP (LM, Konsantrasyon) | - | - | ud |
| u-ln0.50Alxga0.5-xP (x: 0.00 –>0.18; Konsantrasyon) |
- | 2216 | ud |
| p-ln0.50Al0.18ga0.32P (Konsantrasyon) | - | - | - |
| p-ln0.50Al0.18ga0.32P (Konsantrasyon) | - | - | - |
| n-ln0.50Alxga0.5-xP (x:o.18–>0,00; Konsantrasyon) |
- | - | - |
| p+- GalnP (LM, Konsantrasyon) | - | - | - |
| p++- GaAs – Kap | - | - | - |
2. Lazer Yarı İletken için AlGaInP'nin Büyümesi ve Özellikleri
AlGaInP, nitrürler dışında en büyük enerji boşluğuna sahip bir grup III-V bileşik yarı iletken malzemedir ve yarı kararlı faza aittir. Kendi substratını elde edememesi nedeniyle, substrat malzemesi olarak GaAs seçilmelidir. GaAs ile kafes eşleşmesini karşılamak için, AlGaInP malzemesinin ayarlanabilir aralığı çok sınırlıdır.
AIGalnP lazer diyot yapısının MOCVD büyüme süreci sırasında, esas olarak aşağıdaki hususlar dikkate değerdir:
1) AlGaInP'nin sıralama problemi: AlGaInP'nin sıralı yapısı esas olarak malzemenin ışık verimini, dalga boyu kırmızıya kaymasını ve cihaz stabilitesini etkiler. Genel olarak, düzenli yapıların üretilmesinden kaçınılmalıdır. Ana önlemler şunlardır: uygun büyüme sıcaklığı, II/V oranı ve uygun substrat oryantasyonu seçimi. Genel olarak, AlGaInP kuantum kuyusu lazer yapısını büyütmek için açılı bir GaAs substratı kullanılır. Açı dışı substrat ayrıca hapsetme tabakasındaki p-tipi doping konsantrasyonunu artırabilir, böylece aktif bölgedeki elektronların etkin bariyerini arttırır, taşıyıcıların sızıntısını azaltır ve cihazın yüksek sıcaklığındaki iş performansını iyileştirir.
2) Oksijenin dahil edilmesi, malzemenin derin enerji seviyesini artırabilir ve aktif bölgeye oksijenin dahil edilmesi, ışınımsız rekombinasyonu arttırır. Sınırlayıcı tabakaya oksijen eklenmesi, delik konsantrasyonunu azaltabilir ve P-tipi malzemelerin hazırlanmasını daha zor hale getirebilir.
3) AIGalnP ve GaAs arasındaki eşleştirme sorunu çok önemlidir, ancak belirli büyüme sürecinde, eşleştirme ve uyumsuzluktan birini elde etmek ve malzeme ve cihazların güvenilirliğini ve kararlılığını sağlamak için farklı bileşenlerin termal uyumsuzluğu dikkate alınmalıdır.
4) Lazer teknolojisi için çevrimiçi algılama, AlGaInP malzemelerinin kalitesini ve tekrarlanabilirliğini iyileştirmede önemli bir rol oynar.
Ek olarak, AlGaInP malzemesinin ışık yayma özelliklerini iyileştirmek için yeni malzeme yapısı benimsenmiştir. Örneğin, kuantum kuyusu gerilim yapısı, çoklu kuantum kuyusu yapısı ve modülasyon doping yapısı gradyanı ve orta dereceli heterojunction yapısı, vb. Amaç, lazer diyot epitaksiyel yapısının cihazında kuantum verimliliğini artırmak ve kendi kendine emilmeyi azaltmaktır.
Daha fazla bilgi için lütfen adresinden bize e-posta gönderin sales@ganwafer.com ve tech@ganwafer.com.
