Heteroestructura AlGaAs / GaAs
La heteroestructura AlGaAs / GaAs puede ser ofrecida porGanwafer. El arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs), como material básico optoelectrónico importante, se usa ampliamente en dispositivos electrónicos de alta velocidad y detectores de infrarrojos. La calidad del material AlGaAs, especialmente la calidad de la superficie, afecta directamente las propiedades optoelectrónicas del dispositivo fabricado. A continuación se muestran más detalles de la oblea de semiconductor de heteroestructura de AlGaAs / GaAs a la venta:
1. Heteroestructura AlGaAs / GaAs
No. 1 AlGaAs Bragg Stack Wafers
GANW201123-ALGAAS
| Layer | Material | Repeat | Thickness (nm) | Note |
| 11 | Al0.2Ga0.8As | 5 | – | Alternating layers 10/11 |
| 10 | Al0.63Ga0.37As | 5 | – | |
| 9 | Al0.2Ga0.8As | – | ||
| 8 | Al0.63Ga0.37As | – | ||
| 7 | Al0.2Ga0.8As | – | ||
| 6 | Al0.43Ga0.57As | – | ||
| 5 | Al0.2Ga0.8As | 400 | ||
| 4 | Al0.63Ga0.37As | – | ||
| 3 | Al0.2Ga0.8As | – | ||
| 2 | Al0.63Ga0.37As | 5 | – | Alternating layers 1/2 |
| 1 | Al0.2Ga0.8As | 5 | – | |
| 0 | GaAs wafer |
No. 2 AlGaAs / GaAs Heteroepitaxial Wafer
GANW200710-ALGAAS
Oblea de AlGaAs/GaAs de 2”:
AlGaAs de 280 nm (sin dopar, orientación de los ejes de cristal [100], 20 % Al)
100nm Al0.52In0.48P (La composición de Al sería un poco de tolerancia)
Sustrato de GaAs
Nota:
Si solo necesita la película delgada de AlGaAs para sus aplicaciones, la solución de HCl podría usarse aquí para separar el sustrato de AlGaAs y GaAs disolviendo AlInP.
No. 3 AlGaAs Epi Stacked on GaAs Substrate
GANW191009 – ALGAAS
| Layer | Type | Material | Group | Repeat | Espesor | dopante | Mole Fraction (x) | Strain (ppm) | PL (nm/eV) | CV Level |
| 10 | i | GaAs | – | |||||||
| 9 | i | Al(x)GaAs | 100±5% Å | 0.40±5% | ||||||
| 8 | N+ | Al(x)GaAs | – | Si | – | – | ||||
| 7 | i | Al(x)GaAs | – | – | ||||||
| 6 | i | GaAs | – | |||||||
| 5 | i | GaAs | – | – | – | |||||
| 4 | i | Al(x)GaAs | 1 | – | – | – | ||||
| 3 | i | GaAs | 5000±5% Å | |||||||
| 2 | i | Al(x)GaAs | – | – | ||||||
| 1 | i | GaAs | – | |||||||
| 0 | sustrato |
Remark: concentration tolerance: +/-20%
No. 4 AlGaAs / GaAs Epitaxial Wafer
GANW180412-ALGAAS
| Layer Name | Material | Thickness, um | Conductivity Type | Concentration cm¯³ | |
| H1 | Contact layer | GaAs | 0.070 | – | 5Χ10¹⁸ |
| H2 | Gradient layer 2 | GaAs | – | – | – |
| – | |||||
| H3 | Transition layer 2 | GaAs | – | – | – |
| H4 | Gradient layer 1 | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | 0.025 | – | – |
| – | |||||
| H5 | Donor layer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | – | n+ | – |
| H6 | Spacer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | – | – | 5Χ10¹⁴ |
| H7 | Transition layer 1 | GaAs | – | Pi | – |
| H8 | Channel layer | InxGa1-xAs | – | – | – |
| H9 | Buffer layer 2 | GaAs | 0.2 | – | – |
| H10 | Superlattice | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As /GaAs | – | – | – |
| H11 | Buffer layer 1 | GaAs | – | – | 5Χ10¹⁴ |
| H12 | sustrato | GaAs | 450±10 | i | ₋ |
Reamrks:
The thickness and doping level of the contact layer n+-GaAs can be specified by the consumer within 0.01~0.15 um and 1×10¹⁸~6Χ10¹⁸ cm-³, respectively.
2. Acerca del material AlGaAs
Material de arseniuro de aluminio y galio (AlGaAs), como representante típico deSemiconductores compuestos III-V, ha sido ampliamente estudiado y aplicado debido a su alta movilidad de portadores, composición ajustable y red similar a GaAs. Una de las aplicaciones típicas es el uso de la epitaxia de haces moleculares del crecimiento de heteroestructuras de GaAs/AlGaAs para modular materiales gaseosos de electrones bidimensionales dopados. Los dispositivos microelectrónicos de alta velocidad (HEMT, PHEMT) basados en una estructura de gas de electrones bidimensional de alta calidad, como los transistores de alta movilidad de electrones, se utilizan ampliamente en dispositivos microelectrónicos de ultra alta velocidad, ultra alta frecuencia y bajo nivel de ruido. y circuitos.
Al mismo tiempo, tiene muchas aplicaciones potenciales en sensores y nuevos láseres utilizados en la comunicación óptica y la transmisión de datos de próxima generación. Por lo tanto, los requisitos para la calidad de preparación de películas delgadas de AlGaAs, puntos cuánticos de AlGaAs y pozos cuánticos de AlGaAs son cada vez más altos, al igual que los requisitos de tecnología de preparación de materiales de Si son cada vez más altos con el progreso de la tecnología microelectrónica. Además, la investigación sobre el proceso de crecimiento y la microestructura superficial de AlGaAs de alta calidad con diferentes composiciones es de gran importancia para el crecimiento de superredes de alta calidad. Por lo tanto, el trabajo de investigación fundamental sobre las superficies de AlGaAs es valioso.
Los materiales de AlGaAs tienen la ventaja de ser fáciles de integrar con diodos láser y otros dispositivos ópticos, lo que permite que el láser de heteroestructura de AlGaAs/GaAs tenga diseños altamente integrados de tamaño ultrapequeño, lo que puede reducir efectivamente el tamaño y el peso de los componentes para cumplir con las aplicaciones prácticas.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a sales@ganwafer.com y tech@ganwafer.com.
