InSb-Halbleiterwafer

Indium antimonide (InSb) is III-V compound semiconductor material with extremely narrow band gap, extremely small electron effective mass and extremely high electron mobility. Due to its excellent and stable physical and chemical properties, InSb semiconductor material has gained important applications in industrial technology fields such as Hall devices and magnetoresistive sensor. It is particularly noteworthy that InSb is intrinsically absorbed in the 3-5um band, so InSb detectors have extremely high quantum efficiency and responsivity, making InSb crystal the preferred material for mid-wave infrared detectors. Ganwafer can offer InSb-Waferfür HC-Chip und Details wie folgt:

1. Spezifikation des InSb-Verbundwafers

Mark: Das elektrische Signal hängt mit dem Niveau der Ladungsträgerkonzentration des Einkristall-InSb-Substrats zusammen. Aber die Substratkonzentration von E14 cm^-3ist zu niedrig, um einige Signale zu bestimmen. Um eine höhere Konzentration zu erhalten (zB E15~E16 cm^-3), um elektrische Signale zu bestimmen, sollte das InSb-Verbindungssubstrat mit Te dotiert sein und die Reinheit sollte über 6 N liegen.

2. Chemische Korrosion des InSb-Halbleitersubstrats

Chemisches Ätzen ist eine der am häufigsten verwendeten Oberflächenbehandlungsmethoden im Herstellungsprozess von Geräten. InSb-Material gehört zu III-V-Halbleitern. Aufgrund der unterschiedlichen chemischen Eigenschaften zwischen Nebengruppenelementen und V-Gruppenelementen in Verbindungshalbleitermaterialien ist die chemische Korrosion von InSb-Material komplizierter als die von Siliziummaterial.

Aufgrund des Unterschieds in der Bindungsdichte bildet die (111)-Ebene von InSb eine (111)-A-Ebene und eine (111)-B-Ebene, die jeweils vollständig aus In-Atomen oder vollständig aus Sb-Atomen bestehen. Die Atomordnung der (111)A-Ebene ist zuerst ein planares In-Atom, gefolgt von einem planaren Sb-Atom. Auf der gegenüberliegenden (111) B-Fläche ist die Atomordnung umgekehrt, zuerst ein planares Sb-Atom und dann ein planares In-Atom. Aufgrund dieser Struktur wird die [111]-Richtung Polarachse genannt. Studien vonInSb-Substrathaben gezeigt, dass die Existenz der Polarachse zu zwei gegenüberliegenden (111)-Kristallebenen führt, die sich in einigen physikalisch-chemischen Prozessen unterschiedlich verhalten.

Für InSb-Halbleiter wurde berichtet, dass sie während der Versetzungskorrosion unterschiedliche piezoelektrische Effekte, unterschiedliche Raten der anodischen Oxidation und unterschiedliche Dicken der durch anodische und chemische Oxidation gebildeten Oxidschichten und unterschiedliche Korrosionsraten und Korrosionsraten aufweisen. Die Gruben haben unterschiedliche Formen.

3. Schneiden von Indiumantimonid-Wafern

Derzeit werden InSb-Wafer meistens durch einen inneren Kreis geschnitten, was die Vorteile einer bequemen Bedienung und einer ausgereiften Technologie hat. In den letzten Jahren haben Forscher im In- und Ausland eingehende Untersuchungen zur Beschädigung und zum Mechanismus des InSb-Halbleiterwafers mit innerem Kreisschnitt durchgeführt. Es wird davon ausgegangen, dass die Schadensschicht aus zweischichtigen Gitterfehlern besteht: Die äußere Schicht ist die Bruchschicht, einschließlich Mikrorisse, Brüche und Defekte, und die Spannungsschicht unter der Bruchschicht, und die Mikrorisse der Bruchschicht sind der Hauptgrund für die starke Verringerung der mechanischen Festigkeit der InSb-Wafer.

Mit der kontinuierlichen Zunahme des Durchmessers und der Länge von Massenhalbleiter-Indiumantimonid, insbesondere für InSb-Kristalle über 4 Zoll, weist das Schneiden des inneren Kreises jedoch offensichtliche Mängel hinsichtlich der Verarbeitungseffizienz und des Verarbeitungsverlusts auf. Derzeit beträgt der Durchmesser der Schneidlinie beim Drahtschneiden im Allgemeinen weniger als 150 um; während die Dicke der Klinge der Innenkreisschneidemaschine 300 um beträgt, was deutlich breiter ist als der Durchmesser der Klingenlinie. Der Schneidfaden der Mehrdraht-Schneidemaschine wird durch einen komplexen mechanischen Mechanismus in mehrere parallele Schneidfäden gewickelt, die jedes Mal gleichzeitig geschnitten werden können. Die Verarbeitungseffizienz ist dutzendmal höher als bei der Innenkreisschneidemaschine. Drahterodieren ist besser geeignet für die Herstellung und Verarbeitung von großformatigen, großvolumigen InSb-Substraten.

Der Grad der Oberflächenbeschädigung von drahtgeschnittenen Einkristall-InSb-Wafern und innerkreisgeschnittenen Wafern wurde durch Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Stufenmesser und Röntgenbeugung (XRD) beobachtet, und die Dicke der beschädigten Schicht wurde quantitativ analysiert . Die Ergebnisse zeigen, dass die Oberfläche des drahtgeschnittenen InSb-Halbleiterwafers relativ flach ist, die Rauheit gering ist und die Oberflächenbeschädigung gering ist.

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