AlGaAs/GaAs-Heterostruktur
AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen können von angeboten werdenGanwafer. Aluminium-Gallium-Arsenid (AlGaAs) wird als wichtiges optoelektronisches Grundmaterial in elektronischen Hochgeschwindigkeitsgeräten und Infrarotdetektoren weit verbreitet verwendet. Die Qualität des AlGaAs-Materials, insbesondere die Qualität der Oberfläche, wirkt sich direkt auf die optoelektronischen Eigenschaften der hergestellten Vorrichtung aus. Weitere Details zu den zum Verkauf stehenden AlGaAs / GaAs-Heterostruktur-Halbleiterwafern sind wie folgt dargestellt:
1. AlGaAs/GaAs-Heterostruktur
No. 1 AlGaAs Bragg Stack Wafers
GANW201123-ALGAAS
| Layer | Material | Repeat | Thickness (nm) | Note |
| 11 | Al0.2Ga0.8As | 5 | - - | Alternating layers 10/11 |
| 10 | Al0.63Ga0.37As | 5 | - - | |
| 9 | Al0.2Ga0.8As | - - | ||
| 8 | Al0.63Ga0.37As | - - | ||
| 7 | Al0.2Ga0.8As | - - | ||
| 6 | Al0.43Ga0.57As | - - | ||
| 5 | Al0.2Ga0.8As | 400 | ||
| 4 | Al0.63Ga0.37As | - - | ||
| 3 | Al0.2Ga0.8As | - - | ||
| 2 | Al0.63Ga0.37As | 5 | - - | Alternating layers 1/2 |
| 1 | Al0.2Ga0.8As | 5 | - - | |
| 0 | GaAs wafer |
No. 2 AlGaAs / GaAs Heteroepitaxial Wafer
GANW200710-ALGAAS
AlGaAs / GaAs-Wafer der Größe 2 Zoll:
280 nm AlGaAs (undotiert, Kristallachsenorientierung [100], 20 % Al)
100 nm Al0.52In0.48P (Al-Zusammensetzung wäre eine kleine Toleranz)
GaAs-Substrat
Hinweis:
Wenn Sie nur den AlGaAs-Dünnfilm für Ihre Anwendungen benötigen, könnte hier HCl-Lösung verwendet werden, um das AlGaAs- und GaAs-Substrat durch Auflösen von AlInP zu trennen.
No. 3 AlGaAs Epi Stacked on GaAs Substrate
GANW191009 – ALGAAS
| Layer | Type | Material | Group | Repeat | Dicke | Dotierstoff | Mole Fraction (x) | Strain (ppm) | PL (nm/eV) | CV Level |
| 10 | i | GaAs | - - | |||||||
| 9 | i | Al(x)GaAs | 100±5% Å | 0.40±5% | ||||||
| 8 | N+ | Al(x)GaAs | - - | Si | - - | - - | ||||
| 7 | i | Al(x)GaAs | - - | - - | ||||||
| 6 | i | GaAs | - - | |||||||
| 5 | i | GaAs | - - | - - | - - | |||||
| 4 | i | Al(x)GaAs | 1 | - - | - - | - - | ||||
| 3 | i | GaAs | 5000±5% Å | |||||||
| 2 | i | Al(x)GaAs | - - | - - | ||||||
| 1 | i | GaAs | - - | |||||||
| 0 | Substrat |
Remark: concentration tolerance: +/-20%
No. 4 AlGaAs / GaAs Epitaxial Wafer
GANW180412-ALGAAS
| Layer Name | Material | Dicke, ähm | Conductivity Type | Concentration cm¯³ | |
| H1 | Contact layer | GaAs | 0.070 | - - | 5Χ10¹⁸ |
| H2 | Gradient layer 2 | GaAs | - - | - - | - - |
| - - | |||||
| H3 | Transition layer 2 | GaAs | - - | - - | - - |
| H4 | Gradient layer 1 | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | 0.025 | - - | - - |
| - - | |||||
| H5 | Donor layer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | - - | n+ | - - |
| H6 | Spacer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | - - | - - | 5Χ10¹⁴ |
| H7 | Transition layer 1 | GaAs | - - | Pi | - - |
| H8 | Channel layer | InxGa1-xAs | - - | - - | - - |
| H9 | Buffer layer 2 | GaAs | 0.2 | - - | - - |
| H10 | Superlattice | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As /GaAs | - - | - - | - - |
| H11 | Buffer layer 1 | GaAs | - - | - - | 5Χ10¹⁴ |
| H12 | Substrat | GaAs | 450±10 | i | ₋ |
Reamrks:
The thickness and doping level of the contact layer n+-GaAs can be specified by the consumer within 0.01~0.15 um and 1×10¹⁸~6Χ10¹⁸ cm-³, respectively.
2. Über AlGaAs-Material
Aluminium-Gallium-Arsenid (AlGaAs)-Material, als ein typischer Vertreter vonIII-V-Verbindungshalbleiter, wurde aufgrund seiner hohen Ladungsträgermobilität, seiner abstimmbaren Zusammensetzung und seines ähnlichen Gitters wie GaAs umfassend untersucht und angewendet. Eine der typischen Anwendungen ist die Verwendung von Molekularstrahlepitaxie von GaAs/AlGaAs-Heterostrukturwachstum, um dotierte zweidimensionale Elektronengasmaterialien zu modulieren. Mikroelektronische Hochgeschwindigkeitsvorrichtungen (HEMT, PHEMT), die auf einer hochwertigen zweidimensionalen Elektronengasstruktur basieren, wie z. B. Transistoren mit hoher Elektronenmobilität, werden häufig in mikroelektronischen Ultrahochgeschwindigkeits-, Ultrahochfrequenz- und rauscharmen Mikroelektronikvorrichtungen verwendet und Schaltungen.
Gleichzeitig hat es viele potenzielle Anwendungen in Sensoren und neuen Lasern, die in der optischen Kommunikation und Datenübertragung der nächsten Generation verwendet werden. Daher werden die Anforderungen an die Präparationsqualität von AlGaAs-Dünnfilmen, AlGaAs-Quantenpunkten und AlGaAs-Quantentöpfen immer höher, ebenso wie die Anforderungen an die Präparationstechnologie von Si-Materialien mit dem Fortschritt der Mikroelektroniktechnologie immer höher werden. Darüber hinaus ist die Erforschung des Wachstumsprozesses und der Oberflächenmikrostruktur von hochwertigem AlGaAs mit unterschiedlichen Zusammensetzungen von großer Bedeutung für das Wachstum hochwertiger Übergitter. Daher sind Grundlagenforschungsarbeiten an AlGaAs-Oberflächen wertvoll.
AlGaAs-Materialien haben den Vorteil, dass sie einfach in Laserdioden und andere optische Geräte integriert werden können, was AlGaAs / GaAs-Heterostrukturlaser mit hochintegrierten Designs von ultrakleiner Größe ermöglicht, wodurch die Größe und das Gewicht von Komponenten effektiv reduziert werden können, um praktische Anwendungen zu erfüllen.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter sales@ganwafer.com und tech@ganwafer.com.
