Wafer Semicondutor InSb

Indium antimonide (InSb) is III-V compound semiconductor material with extremely narrow band gap, extremely small electron effective mass and extremely high electron mobility. Due to its excellent and stable physical and chemical properties, InSb semiconductor material has gained important applications in industrial technology fields such as Hall devices and magnetoresistive sensor. It is particularly noteworthy that InSb is intrinsically absorbed in the 3-5um band, so InSb detectors have extremely high quantum efficiency and responsivity, making InSb crystal the preferred material for mid-wave infrared detectors. Ganwafer can offer InSb waferpara chip HC, e detalhes como segue:

1. Especificação do Wafer Composto InSb

Marca：O sinal elétrico está relacionado ao nível de concentração da portadora do substrato de InSb de cristal único. Mas a concentração de substrato de E14 cm^-3é muito baixo para determinar alguns sinais. Para obter maior concentração (por exemplo, E15~E16 cm^-3) para determinar os sinais elétricos, o substrato composto de InSb deve ser dopado com Te, e a pureza deve ser superior a 6N.

2. Corrosão Química do Substrato Semicondutor InSb

O ataque químico é um dos métodos de tratamento de superfície comumente usados ​​no processo de fabricação de dispositivos. O material InSb pertence aos semicondutores III-V. Devido à diferença nas propriedades químicas entre os elementos do subgrupo e os elementos do grupo V em materiais semicondutores compostos, a corrosão química do material InSb é mais complicada do que a do material de silício.

Devido à diferença na densidade de ligação, o plano InSb (111) formará (111) plano A e (111) plano B, cada um dos quais é completamente composto por átomos de In ou completamente composto por átomos de Sb. A ordem atômica do plano (111)A é primeiro um átomo In planar seguido por um átomo Sb planar. Na face oposta (111) B, a ordem atômica é invertida, primeiro um átomo planar de Sb e depois um átomo planar de In. É por causa dessa estrutura que a direção [111] é chamada de eixo polar. Estudos deSubstrato InSbmostraram que a existência do eixo polar leva a dois planos cristalinos opostos (111) com comportamentos diferentes em alguns processos físico-químicos.

Para o semicondutor InSb, foi relatado que eles exibem diferentes efeitos piezoelétricos durante a corrosão por discordância, diferentes taxas de oxidação anódica e diferentes espessuras de camadas de óxido formadas por oxidação anódica e química e diferentes taxas de corrosão e taxas de corrosão. Os poços são de formas diferentes.

3. Corte de Wafer de Antimônio de Índio

Atualmente, as bolachas InSb são cortadas principalmente pelo círculo interno, que tem as vantagens de operação conveniente e tecnologia madura. Nos últimos anos, pesquisadores em casa e no exterior realizaram pesquisas aprofundadas sobre os danos e o mecanismo do wafer semicondutor InSb cortado pelo círculo interno. A camada de dano é considerada composta por imperfeições da treliça de duas camadas: a camada externa é a camada de fratura, incluindo microfissuras, fraturas e defeitos, e a camada de tensão abaixo da camada de fratura, sendo as microtrincas da camada fraturada o principal motivo pela grande redução da resistência mecânica das pastilhas de InSb.

No entanto, com o aumento contínuo do diâmetro e comprimento do antimoneto de índio semicondutor a granel, especialmente para cristais de InSb acima de 4 polegadas, o corte do círculo interno apresenta deficiências óbvias em termos de eficiência de processamento e perda de processamento. Atualmente, o diâmetro da linha de lâmina de corte de fio é geralmente inferior a 150um; enquanto a espessura da lâmina da máquina de corte do círculo interno é de 300um, que é significativamente maior que o diâmetro da linha da lâmina. A linha de corte da máquina de corte multifio é enrolada em várias linhas de corte paralelas através de um mecanismo mecânico complexo, que pode ser cortado ao mesmo tempo todas as vezes. A eficiência de processamento é dezenas de vezes superior à da máquina de corte circular interna. O corte de arame é mais adequado para a produção e processamento de substratos InSb de grande porte e grande volume.

O grau de dano da superfície de wafers de InSb de cristal único cortado por fio e wafers de corte circular interno foi observado por Microscopia Eletrônica de Varredura (SEM), medidor de passos e Difração de Raios-X (XRD), e a espessura da camada danificada foi analisada quantitativamente . Os resultados mostram que a superfície do wafer semicondutor InSb cortado por fio é relativamente plana, a rugosidade é pequena e o dano superficial é pequeno.

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