Heteroestrutura AlGaAs / GaAs
A heteroestrutura AlGaAs / GaAs pode ser oferecida porGanwafer. O arseneto de alumínio e gálio (AlGaAs), como importante material básico optoeletrônico, é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta velocidade e detectores infravermelhos. A qualidade do material AlGaAs, principalmente a qualidade da superfície, afeta diretamente as propriedades optoeletrônicas do dispositivo fabricado. Mais detalhes do wafer semicondutor de heteroestrutura AlGaAs / GaAs para venda são mostrados a seguir:
1. Heteroestrutura AlGaAs / GaAs
No. 1 AlGaAs Bragg Stack Wafers
GANW201123-ALGAAS
| Layer | Material | Repeat | Thickness (nm) | Note |
| 11 | Al0.2Ga0.8As | 5 | - | Alternating layers 10/11 |
| 10 | Al0.63Ga0.37As | 5 | - | |
| 9 | Al0.2Ga0.8As | - | ||
| 8 | Al0.63Ga0.37As | - | ||
| 7 | Al0.2Ga0.8As | - | ||
| 6 | Al0.43Ga0.57As | - | ||
| 5 | Al0.2Ga0.8As | 400 | ||
| 4 | Al0.63Ga0.37As | - | ||
| 3 | Al0.2Ga0.8As | - | ||
| 2 | Al0.63Ga0.37As | 5 | - | Alternating layers 1/2 |
| 1 | Al0.2Ga0.8As | 5 | - | |
| 0 | GaAs wafer |
No. 2 AlGaAs / GaAs Heteroepitaxial Wafer
GANW200710-ALGAAS
2” tamanho AlGaAs / GaAs Wafer：
280nm AlGaAs (não dopado, orientação dos eixos de cristal [100], 20% Al)
100nm Al0.52In0.48P (composição de Al seria um pouco de tolerância)
substrato GaAs
Nota:
Se você só precisa do filme fino AlGaAs para suas aplicações, a solução de HCl pode ser usada aqui para separar o substrato AlGaAs e GaAs dissolvendo AlInP.
No. 3 AlGaAs Epi Stacked on GaAs Substrate
GANW191009 – ALGAAS
| Layer | Type | Material | Group | Repeat | Espessura | dopante | Mole Fraction (x) | Strain (ppm) | PL (nm/eV) | CV Level |
| 10 | i | GaAs | - | |||||||
| 9 | i | Al(x)GaAs | 100±5% Å | 0.40±5% | ||||||
| 8 | N+ | Al(x)GaAs | - | Si | - | - | ||||
| 7 | i | Al(x)GaAs | - | - | ||||||
| 6 | i | GaAs | - | |||||||
| 5 | i | GaAs | - | - | - | |||||
| 4 | i | Al(x)GaAs | 1 | - | - | - | ||||
| 3 | i | GaAs | 5000±5% Å | |||||||
| 2 | i | Al(x)GaAs | - | - | ||||||
| 1 | i | GaAs | - | |||||||
| 0 | Substrato |
Remark: concentration tolerance: +/-20%
No. 4 AlGaAs / GaAs Epitaxial Wafer
GANW180412-ALGAAS
| Layer Name | Material | Espessura, hum | Conductivity Type | Concentration cm¯³ | |
| H1 | Contact layer | GaAs | 0.070 | - | 5Χ10¹⁸ |
| H2 | Gradient layer 2 | GaAs | - | - | - |
| - | |||||
| H3 | Transition layer 2 | GaAs | - | - | - |
| H4 | Gradient layer 1 | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | 0.025 | - | - |
| - | |||||
| H5 | Donor layer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | - | n+ | - |
| H6 | Spacer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | - | - | 5Χ10¹⁴ |
| H7 | Transition layer 1 | GaAs | - | Pi | - |
| H8 | Channel layer | InxGa1-xAs | - | - | - |
| H9 | Buffer layer 2 | GaAs | 0.2 | - | - |
| H10 | Superlattice | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As /GaAs | - | - | - |
| H11 | Buffer layer 1 | GaAs | - | - | 5Χ10¹⁴ |
| H12 | Substrato | GaAs | 450±10 | i | ₋ |
Reamrks:
The thickness and doping level of the contact layer n+-GaAs can be specified by the consumer within 0.01~0.15 um and 1×10¹⁸~6Χ10¹⁸ cm-³, respectively.
2. Sobre o material AlGaAs
Material de arseneto de alumínio e gálio (AlGaAs), como um representante típico deSemicondutores compostos III-V, tem sido amplamente estudado e aplicado devido à sua alta mobilidade de portadores, composição sintonizável e estrutura semelhante ao GaAs. Uma das aplicações típicas é o uso de epitaxia de feixe molecular de crescimento de heteroestrutura GaAs / AlGaAs para modular materiais gasosos de elétrons bidimensionais dopados. Dispositivos microeletrônicos de alta velocidade (HEMT, PHEMT) baseados em estrutura de gás de elétrons bidimensional de alta qualidade, como transistores de alta mobilidade de elétrons, são amplamente utilizados em dispositivos microeletrônicos de ultra-alta velocidade, ultra-alta frequência e baixo ruído e circuitos.
Ao mesmo tempo, tem muitas aplicações potenciais em sensores e novos lasers usados em comunicação óptica e transmissão de dados de última geração. Portanto, os requisitos para a qualidade de preparação de filmes finos de AlGaAs, pontos quânticos de AlGaAs e poços quânticos de AlGaAs estão ficando cada vez maiores, assim como os requisitos de tecnologia de preparação de materiais de Si estão ficando cada vez maiores com o progresso da tecnologia microeletrônica. Além disso, a pesquisa sobre o processo de crescimento e microestrutura superficial de AlGaAs de alta qualidade com diferentes composições é de grande importância para o crescimento de super-redes de alta qualidade. Portanto, o trabalho de pesquisa fundamental em superfícies AlGaAs é valioso.
Os materiais AlGaAs têm a vantagem de serem fáceis de integrar diodos de laser e outros dispositivos ópticos, que permitem o laser de heteroestrutura AlGaAs/GaAs com designs altamente integrados de tamanho ultra-pequeno, que podem reduzir efetivamente o tamanho e o peso dos componentes para atender às aplicações práticas.
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail sales@ganwafer. com e tech@ganwafer. com.
