Homoepitaxie von undotiertem InAs vom N-Typ auf InAs (001)-Substrat
Indiumarsenid (InAs) wafer material has great potential for fabricating different devices since its high electron mobility, narrow bandgap, high carrier concentration, and lattice-matched systems (InAs, GaSb, AlSb, and their alloys) at 6.1 A˚. Homoepitaxial InAs layer with different doping concentration on InAs (001) substrate can be used to manufacture avalanche photodiodes and photodetectors. InAs thin films with highly n-type doped, lightly doped or undoped are usually deposited as layers of plasmon-cladding and waveguide-space, which are for interband cascade laser and mid IR quantum cascade to help extend the wavelength. Homoepitaxy of InAs (001) can be offered by Ganwafer as below:
1. Homoepitaxiale InAs-Struktur
GANW200115-INAS
| Schicht | Typ/Dotierstoff | Trägerkonzentration (cm-3) | Dicke (um) |
| InAs(001) | n-Typ/Undotiert | <2 x 1016 cm-3 | 2-2.5 |
| 2 Zoll n-Typ InAs (001), stark dotiertes Substrat ((5-50)x1017 cm-3), Rückseite poliert | |||
Die Plasmafrequenz von hochdotiertem InAs ist in einem breiten Frequenzbereich im mittleren Infrarot steuerbar, sodass die InAs-Homoepitaxie ideal für die Metamaterialstruktur und die Plasmonik im mittleren IR ist. Mit den breiten Anwendungen der InAs (001)-Homoepitaxie, um die Entwicklung von Hochleistungsgeräten zu erleichtern, steigen die Anforderungen an qualitativ hochwertige Epischichten mit geringer Defektdichte und atomar glatter Oberfläche. Es ist wichtig für komplizierte Geräte wie QC- und IC-Laser.
2. Oberflächenmorphologie und Defektdichten der InAs-Homoepitaxie-Epischicht
Oberflächenmorphologie und Defektdichten sind wichtige Metriken, die die Qualität von InAs-Dünnfilmen zeigen. Das Homoepitaxie-InAs ist hoch dotiert mit einer glatten Oberfläche, die die kristallin gewachsene Wellenleiterschicht mit hoher Qualität zeigt, was zu scharfen Grenzflächen bei der späteren Herstellung der Laserstruktur beiträgt. Die Struktur besteht aus untral dünnen Schichten bis zu 100 in Interband-/Quantenkaskaden-Bauelementen.
Für das homoepitaxiale InAs-Wachstum ist eine niedrige Defektdichte kritisch, da sie in die Laserstruktur eindringen und zu einem Rekombinationszentrum werden kann, um die Leistung des Lasers zu verschlechtern. Daher sind eine glatte Oberflächenmorphologie und eine geringe Defektdichte sehr wichtig, um eine perfekte Leistung von Vorrichtungen zu realisieren. Um die Waferqualität sicherzustellen, können wir SEM-, AFM- und DIC-Mikroskopie verwenden, um die homoepitaxiale InAs-Schicht nach dem epitaktischen Wachstumsprozess zu beobachten, und dann die Bedingungen für das Wachstum der homoepitaxialen InAs-Schicht auf dem InAs (001)-Substrat optimieren.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untersales@ganwafer.comundtech@ganwafer.com.
