InSb-Epitaxieschicht auf GaAs

InSb-Epitaxieschicht auf GaAs

Heteroepitaxialer InSb-Dünnfilm direkt auf halbisolierendem GaAs-Substrat und anderemIII-V-Waferstehen zur Verfügung. Epischichten aus InSb und InSb-Legierungen haben wegen ihres Potenzials in optoelektronischen Infrarotvorrichtungen große Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Es gibt mehrere Epitaxietechniken für das epitaktische Schichtwachstum von InSb, wie MBE, MOCVD, MSE und LPE. Die InSb-Epitaxieschicht kann auch auf Si, InP und anderen Substraten aufgewachsen werden. Weitere Informationen über unsere InSb-Halbleiter-Epitaxieschicht, die auf undotiertem GaAs-Substrat gewachsen ist, finden Sie im folgenden Teil:

1. InSb-Epitaxie auf GaAs-Substrat

GANW200810- INSB

Epi-Schicht: 3um, undotiertes InSb

Substrat: 2“ großes, undotiertes GaAs

Es folgt das XRD-Diagramm eines auf GaAs basierenden epitaxialen InSb-Kristallwafers:

XRD diagram of InSb Epitaxial Layer on GaAs Substrate

Bemerkungen:

1/ Für InSb-Epi-Schicht-Halbleiter gilt im Allgemeinen, je höher die Dotierungskonzentration, desto stärker die Absorption;

2/ Wenn die Wellenlänge (Photonenenergie) des Lasers größer als die verbotene Bandbreite von Indiumantimonid ist, wird es vollständig absorbiert. Die Wellenlänge des Lasers ist relativ kurz (die Photonenenergie ist größer als die Bandlücke von InSb);

3/ In Bezug auf undotiertes InSb (undotiertes InSb oder halbisolierendes InSb) hat es eine Konzentration von < 9E14.

2. Wie kann die Qualität der InSb-Epitaxieschicht auf GaAs verbessert werden?

Im Hinblick auf Fotodetektoranwendungen ist das epitaxiale Wachstum von InSb-Filmen auf GaAs-Substraten oder Si-Substraten vorteilhaft für die monolithische Integration von großflächigen InSb-Detektorarrays mit GaAs-basierten oder Si-basierten Signalauslese- und -verarbeitungskomponenten. Zwischen dem heteroepitaxialen InSb-Film und dem GaAs-Substrat besteht jedoch ein großer Grad an Gitterfehlanpassung (14,6 %). Das GaAs-Substratmaterial hat halbisolierende und hochohmige Eigenschaften, so dass bei der Untersuchung der elektrischen Hall-Eigenschaften von InSb-Epitaxie-Dünnfilmmaterialien das GaAs-Substrat normalerweise für das heteroepitaxiale Wachstum von InSb verwendet wird, und dann das Vier-Sonden-Verfahren verwendet wird Messung der InSb-Schichtcharakterisierung – elektrische Eigenschaften nach der Vier-Sonden-Methode auf einem Hall-Tester

Aufgrund der hohen Versetzungsdichte an der Grenzfläche, die durch die Gitterfehlanpassung verursacht wird, werden in der InSb-Epi-Schicht eine große Anzahl von Defekten, wie z die Filmqualität und Geräteleistung. Daher ist die Verringerung der Defektdichte von InSb-Epi auf GaAs für praktische Anwendungen entscheidend.

Gegenwärtig werden einige Wachstumstechniken vorgeschlagen, um die durch Gitterfehlanpassung verursachten Defekte zu minimieren. Beispielsweise wurden metamorphe Puffertechniken auf einem GaAs-Substrat entwickelt. Mehreren Berichten über das Wachstum von hochwertigem InSb auf GaAs-Substraten zufolge kann das Problem der Gitterfehlanpassung teilweise durch die Verwendung von AlSb und dem abgestuften Puffer (SGB) von InAlSb gelöst werden. Es ist auch wichtig, für AlSb- und InAlSb-SGB optimale Wachstumsbedingungen, wie z. B. Wachstumstemperatur und Wachstumsrate, bereitzustellen. Außerdem In1-xAlxSb/In1-jaAlySb-Kurzperioden-Übergitterarbeit kann verwendet werden, um die Versetzung der InSb-Epitaxieschicht zu reduzieren, indem die Zusammensetzung von In und Al geändert wird.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter sales@ganwafer.com und tech@ganwafer.com.

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