InAs（001）基板上のN型アンドープInAsのホモエピタキシー

インジウムヒ素（InAsの) wafer material has great potential for fabricating different devices since its high electron mobility, narrow bandgap, high carrier concentration, and lattice-matched systems (InAs, GaSb, AlSb, and their alloys) at 6.1 A˚. Homoepitaxial InAs layer with different doping concentration on InAs (001) substrate can be used to manufacture avalanche photodiodes and photodetectors. InAs thin films with highly n-type doped, lightly doped or undoped are usually deposited as layers of plasmon-cladding and waveguide-space, which are for interband cascade laser and mid IR quantum cascade to help extend the wavelength. Homoepitaxy of InAs (001) can be offered by Ganwafer as below:

1.InAsホモエピタキシャル構造

GANW200115-INAS

高濃度にドープされたInAsのプラズマ周波数​​は、広い中赤外線周波数範囲で制御可能であるため、InAsホモエピタキシーはメタマテリアル構造および中赤外プラズモンに理想的です。 InAs（001）ホモエピタキシーの幅広い用途に伴い、高性能デバイスの開発を促進するために、欠陥密度が低く、表面が原子的に滑らかな高品質のエピ層に対する需要が高まっています。 QCレーザーやICレーザーなどの複雑なデバイスにとって重要です。

2.InAsホモエピタキシーエピレイヤーの表面形態と欠陥密度

表面形態と欠陥密度は、InAs薄膜の品質を示す重要な指標です。 ホモエピタキシーInAsは、高品質の結晶で成長した導波路層を示す滑らかな表面で高度にドープされており、後のレーザー構造の製造における鋭い界面に貢献します。 この構造は、バンド間/量子カスケードデバイスの最大100個の薄い層で構成されています。

InAsホモエピタキシャル成長の場合、欠陥密度が低いことが重要です。これは、欠陥密度がレーザー構造に浸透し、再結合中心になってレーザーの性能を低下させる可能性があるためです。 したがって、デバイスの完全な性能を実現するには、滑らかな表面形態と低い欠陥密度が非常に重要です。 ウェーハの品質を確保するために、SEM、AFM、およびDIC顕微鏡を使用して、エピタキシャル成長プロセス後のホモエピタキシャルInAs層を観察し、InAs（001）基板上でのホモエピタキシャルInAs層の成長条件を最適化できます。

詳細については、メールでお問い合わせください。sales@ganwafer.comとtech@ganwafer.com.