Homoepitaxia de InAs não dopado do tipo N em substrato de InAs (001)
arseneto de índio (InAs) wafer material has great potential for fabricating different devices since its high electron mobility, narrow bandgap, high carrier concentration, and lattice-matched systems (InAs, GaSb, AlSb, and their alloys) at 6.1 A˚. Homoepitaxial InAs layer with different doping concentration on InAs (001) substrate can be used to manufacture avalanche photodiodes and photodetectors. InAs thin films with highly n-type doped, lightly doped or undoped are usually deposited as layers of plasmon-cladding and waveguide-space, which are for interband cascade laser and mid IR quantum cascade to help extend the wavelength. Homoepitaxy of InAs (001) can be offered by Ganwafer as below:
1. Estrutura Homoepitaxial InAs
GANW200115-INAS
| Camada | Tipo/Dopante | Concentração de portadores (cm-3) | Espessura (um) |
| EmAs(001) | tipo n/não dopado | <2 x 1016 cm-3 | 2-2.5 |
| InAs tipo n de 2 polegadas (001), substrato fortemente dopado ((5-50)x1017 cm-3), verso polido | |||
A frequência de plasma de InAs altamente dopados é controlável em uma ampla faixa de frequência de infravermelho médio, portanto, a homeoepitaxia de InAs é ideal para estrutura de metamaterial e plasmônico de infravermelho médio. Com as amplas aplicações da homeoepitaxia InAs (001), para facilitar o desenvolvimento de dispositivos de alto desempenho, as demandas por epilayer de alta qualidade com baixa densidade de defeitos e superfície atomicamente lisa estão aumentando. É importante para dispositivos complicados, como lasers QC e IC.
2. Morfologia da Superfície e Densidades de Defeitos de InAs Homoepitaxy Epilayer
A morfologia da superfície e as densidades de defeitos são métricas importantes que mostram a qualidade do filme fino de InAs. O homoepitaxy InAs é altamente dopado com superfície lisa que demonstra a camada de guia de onda crescida em cristalino de alta qualidade, contribuindo para interfaces nítidas na fabricação da estrutura do laser posteriormente. A estrutura é composta por camadas finas untral de até 100 em dispositivos interbanda/cascata quântica.
Para o crescimento homeoepitaxial de InAs, a baixa densidade de defeitos é crítica, pois pode penetrar na estrutura do laser e se tornar o centro de recombinação para degradar o desempenho do laser. Portanto, a morfologia da superfície lisa e a baixa densidade de defeitos são muito importantes para obter o desempenho perfeito dos dispositivos. Para garantir a qualidade do wafer, podemos usar microscopia SEM, AFM e DIC para observar a camada de InAs homoepitaxial após o processo de crescimento epitaxial e, em seguida, otimizar as condições para o crescimento da camada de InAs homoepitaxial no substrato InAs (001).
Para mais informações, entre em contato conosco por e-mail emsales@ganwafer. cometech@ganwafer. com.
