Estrutura de Laser AlGaInP / GaAs de 789nm

AlGaInP GaAs Wafer of Laser Structure

Estrutura de Laser AlGaInP / GaAs de 789nm

GaInAsP / GaInP / AlGaInP laser diode structure materials grown on GaAs substrate with a narrow waveguide is for fabricating laser diodes emitting wavelength at 789 nm. At present, the performance of infrared LD devices prepared by AlGaInP materials has surpassed other material systems. The semiconductor laser structure of AlGaInP / GaAs material system from Ganwafer is listed below for reference. Meanwhile, custom III-V estruturas epipara diodo laser são aceitáveis.

1. Estrutura do Laser AlGaInP no substrato GaAs

GANW200426-789nmLD

Camada d (nm) Profundidade (nm) doping
n- Substrato GaAs (Si-dopado) - - n>1e18
n- GaAs (Concentração) - - -
n- GalnP (LM, Concentração) - - -
n-ln0.50AlxGa0,5-xP
(x: 0,00–>0,18; Concentração)
- - -
n-ln0.50AlxGa0,5-xP (Concentração) - - -
n-ln0.50AlxGa0,5-xP
(x: 0,18->0,00; Concentração)
- - ud
u – InGaP (LM, Concentração) 150 - ud
u – lnGaAsP QW (CS,+1%)
PL= 789nm)
- - ud
u- InGaP (LM, Concentração) - - ud
u- ln0.50AlxGa0,5-xP
(x: 0,00 ->0,18; Concentração)
- 2216 ud
p-ln0.50Al0.18Ga0.32P (Concentração) - - -
p-ln0.50Al0.18Ga0.32P (Concentração) - - -
n-ln0.50AlxGa0,5-xP
(x:o.18–>0,00; Concentração)
- - -
p+- GalnP (LM, Concentração) - - -
p++- GaAs – Cap - - -

 

2. Crescimento e Características do AlGaInP para Laser Semicondutor

AlGaInP é um material semicondutor composto do grupo III-V com o maior gap de energia, exceto para nitretos, e pertence à fase metaestável. Devido à incapacidade de obter seu próprio substrato, GaAs deve ser selecionado como material de substrato. Para atender a correspondência de rede com GaAs, a faixa ajustável de material AlGaInP é muito limitada.

Durante o processo de crescimento MOCVD da estrutura do diodo laser AIGalnP, existem principalmente as seguintes questões dignas de nota:

1) O problema de ordenação do AlGaInP: A estrutura ordenada do AlGaInP afeta principalmente a eficiência luminosa, o desvio para o vermelho do comprimento de onda e a estabilidade do dispositivo do material. Em geral, a geração de estruturas ordenadas deve ser evitada. As principais medidas são: escolha da temperatura de crescimento adequada, relação II/V e orientação adequada do substrato. Geralmente, um substrato de GaAs fora do ângulo é usado para o crescimento da estrutura de laser de poço quântico AlGaInP. O substrato fora de ângulo também pode aumentar a concentração de dopagem tipo p na camada de confinamento, aumentando assim a barreira efetiva de elétrons na região ativa, reduzindo o vazamento de portadores e melhorando o desempenho do trabalho em alta temperatura do dispositivo.

2) A incorporação de oxigênio pode aumentar o nível de energia profunda do material, e a incorporação de oxigênio na região ativa aumenta a recombinação não radiativa. A incorporação de oxigênio na camada de confinamento pode reduzir a concentração de furos e dificultar a preparação de materiais do tipo P.

3) O problema de correspondência entre AIGalnP e GaAs é muito importante, mas no processo de crescimento específico, a incompatibilidade térmica de diferentes componentes deve ser considerada para alcançar uma correspondência e incompatibilidade e garantir a confiabilidade e estabilidade de materiais e dispositivos.

4) Para a tecnologia a laser, a detecção online desempenha um papel importante na melhoria da qualidade e repetibilidade dos materiais AlGaInP.

Além disso, para melhorar as propriedades de emissão de luz do material AlGaInP, uma nova estrutura de material é adotada. Por exemplo, estrutura de tensão de poço quântico, estrutura de poço quântico múltiplo e gradiente de estrutura de dopagem de modulação e estrutura de heterojunção moderada, etc., o objetivo é melhorar a eficiência quântica e reduzir a auto-absorção no dispositivo de estrutura epitaxial de diodo laser.

Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail sales@ganwafer. com e tech@ganwafer. com.

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