Oblea InGaAs extendida en sustrato InP

Indium gallium arsenide (InGaAs) wafer is a ternary compound semiconductor, which is suitable for detector applications. The InGaAs is lattice matched to InP substrate, and InGaAs epi wafer based on InP substrate can response the wavelength from 900 nm to 1700 nm. Moreover, the wavelength can be extended to 2600 nm to meet the space remote sensing needs when increase the In composition at 0.83. Extended InGaAs wafer from Ganwafer can be to fabricate detectors sensitive above 1600 nm up to 2000 nm. More detailed specification of Oblea epi III-Vcon capa activa de InGaAs, consulte a continuación:

1. Estructura epitaxial de InGaAs basada en InP

GANW200114-INGAAS

Nota:

La capa 5 puede ser InGaAs estándar o InGaAs filtrada. Con InGaAs tenso, la longitud de onda de la oblea epitaxial basada en InP debe ser de 1750 nm, 2000 nm máx. Si >1750nm, habría una línea de dislocación que no coincide. La línea de dislocación no afecta a la oblea de InGaAs en sí, pero sí a la corriente oscura. La corriente oscura del dispositivo sería un poco más grande.

2. Línea de dislocación no coincidente de la oblea InGaAs basada en InP

Cuando el contenido de In x es mayor que 0,53, las redes de In_XGeorgia_1-xAs y el sustrato InP ya no coincidirán, y el desajuste de la red entre los dos aumentará con el aumento del contenido de In. La introducción de la línea de dislocación conduce a la formación de muchos defectos. La línea de dislocación no afecta a la oblea en sí, pero afecta gravemente a la corriente oscura del detector de InGaAs. El problema de la corriente oscura extremadamente baja es uno de los cuellos de botella que restringen el desarrollo de sistemas de detección fotoeléctrica en el campo aeroespacial. La solución de este problema depende en gran medida del descubrimiento de nuevos materiales y avances en las propiedades de los materiales. Por lo tanto, es de gran importancia llevar a cabo investigaciones básicas sobre materiales de detección de núcleos en el infrarrojo cercano y explorar nuevos fenómenos, nuevos efectos y adaptabilidad aeroespacial en el proceso de pasar de materiales a dispositivos.

3. Tecnología de pozos cuánticos InGaAs/InP tensados

Como la región activa más utilizada de los láseres semiconductores, los pozos cuánticos de InGaAs/InP exhiben una subbanda cuantificada y una densidad de estado de paso en el interior, lo que mejorará en gran medida la densidad de corriente umbral y la estabilidad de la temperatura de los láseres. Al cambiar el ancho del pozo potencial y la altura de la barrera potencial, se puede cambiar el intervalo de energía cuantificado y se pueden realizar las características sintonizables del láser. En comparación con el láser semiconductor tradicional de doble heterounión, la corriente de umbral del láser se puede reducir de manera efectiva y mejorar la eficiencia cuántica y la ganancia diferencial. La introducción de tensión en el pozo cuántico cambiará significativamente su propia estructura de bandas de energía y, al ajustar las posiciones de las bandas de agujeros pesados ​​y ligeros en la banda de valencia, los parámetros de diseño y los grados de libertad de la estructura epitaxial del semiconductor InGaAs del chip. se incrementan.

En términos generales, la introducción de tensión de compresión en la oblea de InGaAs agravará el cambio de la función de la banda de energía, reduciendo así el umbral de corriente del láser; mientras que la introducción de la tensión de tracción suavizará la función de la banda de energía y mejorará la ganancia del material bajo alta potencia hasta cierto punto. La aparición de pozos cuánticos tensionados permite obtener la estructura de banda de energía deseada y aumentar la ganancia ajustando la tensión, lo que supone un gran salto en el rendimiento de los láseres semiconductores.

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico asales@ganwafer.comytech@ganwafer.com.