Dilanjutkan Wafer InGaAs pada Substrat InP

Indium gallium arsenide (InGaAs) wafer is a ternary compound semiconductor, which is suitable for detector applications. The InGaAs is lattice matched to InP substrate, and InGaAs epi wafer based on InP substrate can response the wavelength from 900 nm to 1700 nm. Moreover, the wavelength can be extended to 2600 nm to meet the space remote sensing needs when increase the In composition at 0.83. Extended InGaAs wafer from Ganwafer can be to fabricate detectors sensitive above 1600 nm up to 2000 nm. More detailed specification of wafer epi III-Vdengan lapisan aktif InGaAs sila lihat di bawah:

1. Struktur Epitaxial InGaAs berasaskan InP

GANW200114-INGAAS

Nota:

Lapisan 5 boleh menjadi InGaA standard atau InGaA tegang. Dengan InGaA yang tegang, panjang gelombang wafer epitaxial berasaskan InP hendaklah 1750nm, 2000nm maks. Jika >1750nm, garis kehelan tidak sepadan akan berlaku. Garis kehelan tidak menjejaskan wafer InGaAs itu sendiri, tetapi menjejaskan arus gelap. Arus gelap peranti akan menjadi lebih besar sedikit.

2. Talian Dislokasi Salah Padanan Wafer InGaAs Berasaskan InP

Apabila kandungan Dalam x lebih besar daripada 0.53, kekisi In_xGa_1-xAs dan substrat InP tidak lagi sepadan, dan ketidakpadanan kekisi antara keduanya akan meningkat dengan peningkatan kandungan Dalam. Pengenalan garis kehelan membawa kepada pembentukan banyak kecacatan. Garis kehelan tidak menjejaskan wafer itu sendiri, tetapi memberi kesan serius kepada arus gelap pengesan InGaAs. Masalah arus gelap yang sangat rendah adalah salah satu masalah kesesakan yang menyekat pembangunan sistem pengesanan fotoelektrik dalam bidang aeroangkasa. Penyelesaian masalah ini sangat bergantung pada penemuan bahan baru dan penemuan dalam sifat bahan. Oleh itu, adalah sangat penting untuk menjalankan penyelidikan asas mengenai bahan pengesanan teras inframerah dekat, dan untuk meneroka fenomena baharu, kesan baharu dan kebolehsuaian aeroangkasa dalam proses beralih daripada bahan ke peranti.

3. Teknologi Telaga InGaAs / InP Quantum Well

Sebagai kawasan aktif laser semikonduktor yang paling banyak digunakan, telaga kuantum InGaAs / InP mempamerkan subband terkuantasi dan ketumpatan keadaan langkah di dalamnya, yang akan meningkatkan ketumpatan arus ambang dan kestabilan suhu laser dengan banyak. Dengan menukar lebar telaga berpotensi dan ketinggian halangan berpotensi, selang tenaga terkuantiti boleh diubah, dan ciri-ciri boleh melaras laser dapat direalisasikan. Berbanding dengan laser semikonduktor heterojunction berganda tradisional, arus ambang laser boleh dikurangkan dengan berkesan, dan meningkatkan kecekapan kuantum dan keuntungan perbezaan. Pengenalan terikan ke dalam telaga kuantum akan mengubah struktur jalur tenaganya sendiri dengan ketara, dan dengan melaraskan kedudukan jalur lubang berat dan ringan dalam jalur valens, parameter reka bentuk dan darjah kebebasan struktur epitaxial semikonduktor InGaAs bagi cip meningkat.

Secara umumnya, pengenalan terikan mampatan dalam wafer dalam InGaAs akan memburukkan lagi perubahan fungsi jalur tenaga, dengan itu mengurangkan arus ambang laser; manakala pengenalan terikan tegangan akan melicinkan fungsi jalur tenaga dan meningkatkan keuntungan bahan di bawah kuasa tinggi ke tahap tertentu. Kemunculan telaga kuantum tegang memungkinkan untuk mendapatkan struktur jalur tenaga yang diingini dan meningkatkan keuntungan dengan melaraskan terikan, yang membuat lonjakan hebat dalam prestasi laser semikonduktor.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel disales@ganwafer.comdantech@ganwafer.com.