Heterostruktur AlGaAs / GaAs
Heterostruktur AlGaAs / GaAs boleh ditawarkan olehGanwafer. Aluminium gallium arsenide (AlGaAs), sebagai bahan asas optoelektronik yang penting, digunakan secara meluas dalam peranti elektronik berkelajuan tinggi dan pengesan inframerah. Kualiti bahan AlGaAs, terutamanya kualiti permukaan secara langsung mempengaruhi sifat optoelektronik peranti yang direka. Butiran lanjut wafer semikonduktor heterostruktur AlGaAs / GaAs untuk dijual ditunjukkan seperti berikut:
1. Heterostruktur AlGaAs / GaAs
No. 1 AlGaAs Bragg Stack Wafers
GANW201123-ALGAAS
Layer | Material | Repeat | Thickness (nm) | Note |
11 | Al0.2Ga0.8As | 5 | – | Alternating layers 10/11 |
10 | Al0.63Ga0.37As | 5 | – | |
9 | Al0.2Ga0.8As | – | ||
8 | Al0.63Ga0.37As | – | ||
7 | Al0.2Ga0.8As | – | ||
6 | Al0.43Ga0.57As | – | ||
5 | Al0.2Ga0.8As | 400 | ||
4 | Al0.63Ga0.37As | – | ||
3 | Al0.2Ga0.8As | – | ||
2 | Al0.63Ga0.37As | 5 | – | Alternating layers 1/2 |
1 | Al0.2Ga0.8As | 5 | – | |
0 | GaAs wafer |
No. 2 AlGaAs / GaAs Heteroepitaxial Wafer
GANW200710-ALGAAS
Wafer AlGaAs / GaAs saiz 2":
280nm AlGaAs (tidak terdop, orientasi paksi kristal [100], 20% Al)
100nm Al0.52In0.48P (Komposisi Al akan menjadi sedikit toleransi)
GaAs substrat
Nota:
Jika anda hanya memerlukan filem nipis AlGaAs untuk aplikasi anda, larutan HCl boleh digunakan di sini untuk memisahkan substrat AlGaAs dan GaAs dengan melarutkan AlInP.
No. 3 AlGaAs Epi Stacked on GaAs Substrate
GANW191009 – ALGAAS
Layer | Type | Material | Group | Repeat | ketebalan | Dopant | Mole Fraction (x) | Strain (ppm) | PL (nm/eV) | CV Level |
10 | i | GaAs | – | |||||||
9 | i | Al(x)GaAs | 100±5% Å | 0.40±5% | ||||||
8 | N+ | Al(x)GaAs | – | Si | – | – | ||||
7 | i | Al(x)GaAs | – | – | ||||||
6 | i | GaAs | – | |||||||
5 | i | GaAs | – | – | – | |||||
4 | i | Al(x)GaAs | 1 | – | – | – | ||||
3 | i | GaAs | 5000±5% Å | |||||||
2 | i | Al(x)GaAs | – | – | ||||||
1 | i | GaAs | – | |||||||
0 | substrat |
Remark: concentration tolerance: +/-20%
No. 4 AlGaAs / GaAs Epitaxial Wafer
GANW180412-ALGAAS
Layer Name | Material | Thickness, um | Conductivity Type | Concentration cm¯³ | |
H1 | Contact layer | GaAs | 0.070 | – | 5Χ10¹⁸ |
H2 | Gradient layer 2 | GaAs | – | – | – |
– | |||||
H3 | Transition layer 2 | GaAs | – | – | – |
H4 | Gradient layer 1 | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | 0.025 | – | – |
– | |||||
H5 | Donor layer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | – | n+ | – |
H6 | Spacer | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As | – | – | 5Χ10¹⁴ |
H7 | Transition layer 1 | GaAs | – | Pi | – |
H8 | Channel layer | InxGa1-xAs | – | – | – |
H9 | Buffer layer 2 | GaAs | 0.2 | – | – |
H10 | Superlattice | Al₀.₂₃Ga₀.₇₇As /GaAs | – | – | – |
H11 | Buffer layer 1 | GaAs | – | – | 5Χ10¹⁴ |
H12 | substrat | GaAs | 450±10 | i | ₋ |
Reamrks:
The thickness and doping level of the contact layer n+-GaAs can be specified by the consumer within 0.01~0.15 um and 1×10¹⁸~6Χ10¹⁸ cm-³, respectively.
2. Mengenai Bahan AlGaAs
Bahan aluminium gallium arsenide (AlGaAs), sebagai wakil tipikalSepara kompaun sebatian III-V, telah dikaji dan digunakan secara meluas kerana mobiliti pembawanya yang tinggi, komposisi boleh dilaras dan kekisi yang serupa dengan GaAs. Salah satu aplikasi biasa ialah penggunaan epitaksi rasuk molekul pertumbuhan heterostruktur GaAs / AlGaAs untuk memodulasi bahan gas elektron dua dimensi yang didopkan. Peranti mikroelektronik berkelajuan tinggi (HEMT, PHEMT) berdasarkan struktur gas elektron dua dimensi berkualiti tinggi, seperti transistor mobiliti elektron tinggi, digunakan secara meluas dalam peranti mikroelektronik berkelajuan ultra tinggi, frekuensi ultra tinggi, hingar rendah dan litar.
Pada masa yang sama, ia mempunyai banyak aplikasi berpotensi dalam penderia dan laser baharu yang digunakan dalam komunikasi optik dan penghantaran data generasi akan datang. Oleh itu, keperluan untuk kualiti penyediaan filem nipis AlGaAs, titik kuantum AlGaAs dan telaga kuantum AlGaAs semakin tinggi, sama seperti keperluan teknologi penyediaan bahan Si yang semakin tinggi dengan kemajuan teknologi mikroelektronik. Di samping itu, penyelidikan mengenai proses pertumbuhan dan struktur mikro permukaan AlGaA berkualiti tinggi dengan komposisi berbeza adalah sangat penting untuk pertumbuhan superlattices berkualiti tinggi. Oleh itu, kerja penyelidikan asas pada permukaan AlGaAs adalah berharga.
Bahan AlGaAs mempunyai kelebihan kerana mudah untuk menyepadukan diod laser dan peranti optik lain, yang membolehkan laser heterostruktur AlGaAs / GaAs dengan reka bentuk terintegrasi tinggi bersaiz ultra-kecil, yang boleh mengurangkan saiz dan berat komponen secara berkesan untuk memenuhi aplikasi praktikal.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di sales@ganwafer.com dan tech@ganwafer.com.