Ganwafer is a leading enterprise for compound semiconductor material integrating semiconductor crystal growth, process development, and epitaxy. We cover custom arrangements for commercial and research applications and new exclusive technologies.
EPI service- As one of the largest epitaxy foundry, we cover a wide range of EPI services that deliver low to a high concentration for both n-type and p-type, superior specification epi for R&D, and epi specified for mass production. We are always active to respond our client’s queries. We offer that includes III V Epi service based on GaAs Substrate, InP substrate, GaSb Substrate, InAs Substrate, and InSb substrate, in different types of epi wafer by MBE or MOCVD.
GaNウェーハ-マルコ欠陥密度と転位密度が低いHEMTまたはLED用のN型、p型、半絶縁性窒化ガリウム基板とテンプレートまたはGaNエピウェーハを提供しています。 それらは、LED、LD、またはその他のアプリケーションを含む、優れた性能を示す電子デバイスを製造するために広く利用されています。 それらは低い光吸収係数と優れた透明性を提供します。
SiC wafer- With the help of our best SiC crystal growth technology and SiC crystal wafer processing technology We offer semiconductor SiC wafer Substrate, 6H SiC, and 4H SiC (Silicon Carbide) in different quality grades for researchers and industry manufacturers. Our SiC wafers are suitable for high temperature and high power device applications.
半導体ウェーハ-半導体材料、Ge（ゲルマニウム）単結晶、VGF / LECで成長させたウェーハを提供しています。 私たちは完全なクライアントの満足を保証します。 ASICまたはICはすべての電子機器に搭載されており、電子チップの製造に広く使用されています。
シリコンウェーハとウェーハの製造-あらゆる種類の電子機器に見られる半導体の製造において主要な役割を果たします。 当社のシリコンウェーハは、電子デバイス、電子ガジェットでのチップやマイクロチップの製造、ICの製造、半導体ガジェット、および幅広い技術進歩など、さまざまなアプリケーションに使用されています。
