Produkty

Ganwafer is a leading enterprise for compound semiconductor material integrating semiconductor crystal growth, process development, and epitaxy. We cover custom arrangements for commercial and research applications and new exclusive technologies.

EPI service- As one of the largest epitaxy foundry, we cover a wide range of EPI services that deliver low to a high concentration for both n-type and p-type, superior specification epi for R&D, and epi specified for mass production. We are always active to respond our client’s queries. We offer that includes III V Epi service based on GaAs Substrate, InP substrate, GaSb Substrate, InAs Substrate, and InSb substrate, in different types of epi wafer by MBE or MOCVD.

GaN wafer- Nabízíme N-typ, p-typ a poloizolační substrát a šablonu z nitridu galia nebo GaN epi wafer pro HEMT nebo LED s nízkou hustotou defektů Marco a hustotou dislokací. Jsou široce používány k výrobě elektronických zařízení prokazujících vynikající výkon, včetně LED, LD nebo jiných aplikací. Nabízejí nízké faktory absorpce světla a velkou průhlednost.

SiC wafer- With the help of our best SiC crystal growth technology and SiC crystal wafer processing technology We offer semiconductor SiC wafer Substrate, 6H SiC, and 4H SiC (Silicon Carbide) in different quality grades for researchers and industry manufacturers. Our SiC wafers are suitable for high temperature and high power device applications.

Polovodičové destičky - Poskytujeme polovodičové materiály, monokrystaly Ge (Germanium) a destičky pěstované VGF / LEC. Zajišťujeme úplnou spokojenost klienta. Najdete jej jako ASIC nebo IC v každém elektronickém zařízení a široce se používá pro výrobu elektronických čipů.

Výroba křemíkových destiček a destiček- Hraje hlavní roli při výrobě polovodičů, které můžete najít ve všech druzích elektronických zařízení. Naše křemíkové destičky se používají pro různé aplikace, jako jsou elektronická zařízení, výroba čipů a mikročipů v elektronických přístrojích, výroba IC, pro polovodičové přístroje a celá řada technologických pokroků.