InSb Wafer Market i fotoniskt kyld infraröd detektor
Indiumantimonid (InSb) har egenskaperna för den lägsta smältpunkten, smalt bandgap, hög bärarmobilitet och god strukturell integritet. Det är en speciell förening bland III-V-halvledarföreningar. Dessa egenskaper underlättar de breda tillämpningarna av indiumantimonid som substrat för optoelektroniska enheter och infraröda detektorer i intervallet 3-5 um. InSb-baserade fotodetektormatriser har hög enhetlighet, innehåller ett stort antal arbetsceller och är billigare än liknande enheter baserade på HgCdTe (MCT). Alla fördelar gör InSb till ett nyckelmaterial för tillverkning av stora mellaninfraröda arrayer.Ganwafer can provide InSb waferför tillverkning av fotoelektrondetektorer.
InSb-detektorer startade på 1950-talet, multi-element och linjära detektorer utvecklades på 1960-talet, och fokalplansdetektorer utvecklades på 1980-talet, och de var i princip mogna på 1990-talet. För närvarande utvecklas det i riktning mot mindre ljuskänsliga elementstorlek och större arrayskala. InSb har egenskaperna hög kvanteffektivitet och god stabilitet och har för närvarande en dominerande ställning inom militära medelvågiga infraröda detektorsystem. Jämfört med HgCdTe har InSb fokalplansmatrismaterial låg defektdensitet och låg dislokationsdensitet; InSb-material har inte problemet med likformighet i sammansättningen, kristallstorleken är större, likformigheten är högre, och det resulterande detektorspektrumet och olikformigheten i respons; InSb wafer är en standardwafer, som kan realisera automatisk chipproduktion, låg enhetskostnad, hög långsiktig stabilitet och stark konkurrenskraft i systemtillämpningar.
1. InSb Wafer marknadsandel i fotoniskt kyld IR-detektor
Enligt Maxtech International-analys förväntas den globala marknaden för fotoniska infraröda detektorer uppgå till 7,2 miljarder USD år 2023, med InSb-detektorer som tar den första marknadsandelen. Se figur 1 och 2 för specifika data:
Figur 1: Global marknadsstorlek för fotoniskt kylda infraröda detektorer (data från Maxtech International)
Figur 2: Marknadsandel för Photonic Cooling Infrared Detector Materials under 2019 (Data från Maxtech International)
2. Användningsområden för InSb Thermal Vision System
Det viktigaste strukturella elementet i det högkänsliga termiska visionsystemet på långa avstånd är fotodetektormatrisen baserad på indiumantimonidmaterial. Dessa enheter fungerar genom att omvandla den termiska strålningen från ett föremål till en synlig bild, det vill säga frigöring av värme från en mask eller döljande för att göra det synligt. Under de senaste åren har termiska synsystem trängt djupare och djupare in i olika områden och deras användningsområde har utökats kraftigt.
Figur 3: Tillämpningar av termiska visionssystem (data från Yole)
Jämfört med andra III-V-föreningar har designen av optoelektroniska enheter baserade på InSb-material drivit huvudtrenden inom forskning och utveckling av indiumantimonid. Tillverkningen av fotodetektormatriser för högupplöst identifiering av helt optiska bilder och behovet av att förbättra enhetsutbytet ställer nya krav på diametern, strukturell perfektion och enhetlighet hos de elektrofysiska egenskaperna hos de enkristaller som används i processen.
För mer information, kontakta oss via e-post på sales@ganwafer.com och tech@ganwafer.com.
