789nm AlGaInP/GaAsレーザー構造

GaInAsP / GaInP / AlGaInP laser diode structure materials grown on GaAs substrate with a narrow waveguide is for fabricating laser diodes emitting wavelength at 789 nm. At present, the performance of infrared LD devices prepared by AlGaInP materials has surpassed other material systems. The semiconductor laser structure of AlGaInP / GaAs material system from Ganwafer is listed below for reference. Meanwhile, custom III-Vエピ構造レーザーダイオード用は許容範囲です。

1.GaAs基板上のAlGaInPレーザー構造

GANW200426-789nmLD

2.レーザー半導体用AlGaInPの成長と特性

AlGaInPは、窒化物を除いて最大のエネルギーギャップを持つIII-V族化合物半導体材料であり、準安定相に属します。 独自の基板を入手できないため、基板材料としてGaAsを選択する必要があります。 GaAsとの格子整合を満たすために、AlGaInP材料の調整可能な範囲は非常に制限されています。

AIGalnPレーザーダイオード構造のMOCVD成長プロセスでは、主に次の点に注意する必要があります。

1）AlGaInPの秩序化の問題：AlGaInPの秩序化された構造は、主に材料の発光効率、波長赤方偏移、およびデバイスの安定性に影響を与えます。 一般に、順序付けられた構造の生成は避ける必要があります。 主な対策は次のとおりです。適切な成長温度、II / V比、および適切な基板の向きを選択します。 一般に、オフアングルGaAs基板は、AlGaInP量子井戸レーザー構造を成長させるために使用されます。 オフアングル基板はまた、閉じ込め層のｐ型ドーピング濃度を増加させることができ、それにより、活性領域における電子の有効バリアを増加させ、キャリアの漏れを低減し、デバイスの高温での作業性能を改善する。

2）酸素の取り込みは、材料の深部エネルギーレベルを増加させる可能性があり、活性領域への酸素の取り込みは、非放射再結合を増加させます。 閉じ込め層に酸素を組み込むと、正孔濃度が低下し、P型材料の調製がより困難になる可能性があります。

3）AIGalnPとGaAsのマッチング問題は非常に重要ですが、特定の成長プロセスでは、異なるコンポーネントの熱的ミスマッチを考慮して、マッチングとミスマッチのいずれかを実現し、材料とデバイスの信頼性と安定性を確保する必要があります。

4）レーザー技術の場合、オンライン検出はAlGaInP材料の品質と再現性を向上させる上で重要な役割を果たします。

また、AlGaInP材料の発光特性を向上させるために、新しい材料構造を採用しています。 例えば、量子井戸ひずみ構造、多重量子井戸構造、変調ドーピング構造勾配、中程度のヘテロ接合構造など、目的は、レーザーダイオードエピタキシャル構造のデバイスにおける量子効率を改善し、自己吸収を低減することです。

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