フォトニック冷却赤外線検出器のInSbウェーハ市場

アンチモン化インジウム（InSb）は、融点が最も低く、バンドギャップが狭く、キャリア移動度が高く、構造の完全性が高いという特徴があります。 III-V族半導体化合物の中でも特殊な化合物です。 これらの特性により、3〜5umの範囲のオプトエレクトロニクスデバイスおよび赤外線検出器の基板としてアンチモン化インジウムの幅広い用途が容易になります。 InSbベースの光検出器アレイは、均一性が高く、多数の作業セルを含み、HgCdTe（MCT）に基づく同様のデバイスよりも安価です。 すべての利点により、InSbは大規模な中赤外線アレイを製造するための重要な材料になっています。Ganwafer can provide InSbのウェハ光電子検出器を作るため。

InSb検出器は1950年代に始まり、多元素および線形検出器は1960年代に開発され、焦点面検出器は1980年代に開発され、基本的に1990年代に成熟しました。 現在、感光性素子のサイズを小さくし、アレイのスケールを大きくする方向に発展しています。 InSbは、量子効率が高く安定性に優れているという特徴があり、現在、軍用中波赤外線検出器システムで支配的な地位を占めています。 HgCdTeと比較して、InSb焦点面アレイ材料は欠陥密度と転位密度が低くなっています。 InSb材料には、組成の均一性の問題はなく、結晶サイズが大きく、均一性が高く、結果として得られる検出器スペクトルと応答の不均一性があります。 InSbウェーハは標準ウェーハであり、自動チップ製造、低デバイスコスト、高い長期安定性、およびシステムアプリケーションでの強力な競争力を実現できます。

1.フォトニック冷却IR検出器のInSbウェーハ市場シェア

Maxtech Internationalの分析によると、世界のフォトニック赤外線検出器市場は2023年までに72億米ドルに達すると予想されており、InSb検出器が最初の市場シェアを獲得しています。 特定のデータについては、図1および2を参照してください。

図1：フォトニック冷却赤外線検出器の世界市場規模（Maxtech Internationalのデータ）

図2：2019年のフォトニック冷却赤外線検出器材料の市場シェア（Maxtech Internationalからのデータ）

2.InSbサーマルビジョンシステムの応用分野

高感度長距離熱視覚システムの重要な構造要素は、アンチモン化インジウム材料に基づく光検出器アレイです。 これらのデバイスは、オブジェクトの熱放射を可視画像に変換することによって機能します。つまり、マスクまたは隠蔽から熱を放出して可視にします。 近年、サーマルビジョンシステムはさまざまな分野に浸透し、その応用分野は大きく拡大しています。

図3：サーマルビジョンシステムのアプリケーション（Yoleからのデータ）

他のIII-V化合物と比較して、InSb材料に基づくオプトエレクトロニクスデバイスの設計は、アンチモン化インジウムの研究開発における主要な傾向を推進してきました。 全光学画像の高解像度識別のための光検出器アレイの製造、およびデバイスの歩留まりを改善する必要性は、プロセスで使用される単結晶の直径、構造的完全性、および電気物理的特性の均一性に新たな要求を課します。

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