Structure laser AlGaInP / GaAs 789nm

AlGaInP GaAs Wafer of Laser Structure

Structure laser AlGaInP / GaAs 789nm

GaInAsP / GaInP / AlGaInP laser diode structure materials grown on GaAs substrate with a narrow waveguide is for fabricating laser diodes emitting wavelength at 789 nm. At present, the performance of infrared LD devices prepared by AlGaInP materials has surpassed other material systems. The semiconductor laser structure of AlGaInP / GaAs material system from Ganwafer is listed below for reference. Meanwhile, custom Structures épi III-Vpour la diode laser sont acceptables.

1. Structure Laser AlGaInP sur substrat GaAs

GANW200426-789nmLD

Couche d (nm) Profondeur(nm) Se doper
Substrat n-GaAs (dopé Si) - - n>1e18
n-GaAs (concentration) - - -
n-GalnP (LM, Concentration) - - -
n- ln0.50AlXGéorgie0,5-xP
(x : 0,00–>0,18 ; concentration)
- - -
n- ln0.50AlXGéorgie0,5-xP (concentration) - - -
n- ln0.50AlXGéorgie0,5-xP
(x : 0,18->0,00 ; concentration)
- - oud
u – InGaP (LM, Concentration) 150 - oud
u – lnGaAsP QW (CS,+1%)
PL= 789nm)
- - oud
u-InGaP (LM, Concentration) - - oud
u- ln0.50AlXGéorgie0,5-xP
(x : 0,00 –>0,18 ; concentration)
- 2216 oud
p- ln0.50Al0.18Géorgie0.32P (concentration) - - -
p- ln0.50Al0.18Géorgie0.32P (concentration) - - -
n- ln0.50AlXGéorgie0,5-xP
(x:o.18–>0.00 ; concentration)
- - -
p+- GalnP (ML, Concentration) - - -
p++- GaAs – Cap - - -

 

2. Croissance et caractéristiques d'AlGaInP pour les semi-conducteurs laser

AlGaInP est un matériau semi-conducteur composé du groupe III-V avec la plus grande bande interdite à l'exception des nitrures, et appartient à la phase métastable. En raison de l'impossibilité d'obtenir son propre substrat, GaAs doit être choisi comme matériau de substrat. Afin de répondre à la correspondance de réseau avec GaAs, la gamme accordable du matériau AlGaInP est très limitée.

Au cours du processus de croissance MOCVD de la structure de diode laser AIGalnP, il convient de noter principalement les problèmes suivants :

1) Le problème d'ordre d'AlGaInP : La structure ordonnée d'AlGaInP affecte principalement l'efficacité lumineuse, le décalage vers le rouge de la longueur d'onde et la stabilité de l'appareil du matériau. En général, la génération de structures ordonnées doit être évitée. Les principales mesures sont : choisir la bonne température de croissance, le rapport II/V et la bonne orientation du substrat. Généralement, un substrat GaAs hors angle est utilisé pour la croissance de la structure laser à puits quantique AlGaInP. Le substrat hors angle peut également augmenter la concentration de dopage de type p dans la couche de confinement, augmentant ainsi la barrière efficace des électrons dans la région active, réduisant la fuite de porteurs et améliorant les performances de travail à haute température du dispositif.

2) L'incorporation d'oxygène peut augmenter le niveau d'énergie profonde du matériau, et l'incorporation d'oxygène dans la région active augmente la recombinaison non radiative. L'incorporation d'oxygène dans la couche de confinement peut réduire la concentration de trous et rendre plus difficile la préparation de matériaux de type P.

3) Le problème d'appariement entre l'AIGalnP et le GaAs est très important, mais dans le processus de croissance spécifique, l'inadéquation thermique des différents composants doit être prise en compte pour obtenir l'un de l'appariement et de l'inadéquation, et assurer la fiabilité et la stabilité des matériaux et des dispositifs.

4) Pour la technologie laser, la détection en ligne joue un rôle important dans l'amélioration de la qualité et de la répétabilité des matériaux AlGaInP.

De plus, pour améliorer les propriétés électroluminescentes du matériau AlGaInP, une nouvelle structure de matériau est adoptée. Par exemple, structure de contrainte de puits quantique, structure de puits quantique multiple et gradient de structure de dopage de modulation et structure d'hétérojonction modérée, etc., le but est d'améliorer l'efficacité quantique et de réduire l'auto-absorption dans le dispositif de structure épitaxiale de diode laser.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à sales@ganwafer.com et tech@ganwafer.com.

Partager cet article