GaN auf GaN
GaN (Galliumnitrid) auf einem GaN-Wafer ist die beste Lösung, da es keine Gitterfehlanpassung zwischen Substrat und Epi-Schichten gibt. Der geringere Defekt im GaN/GaN-Film sorgt für eine längere Haltbarkeit des Geräts. Das Gitter und der Wärmeausdehnungskoeffizient des GaN-auf-GaN-Wafers sind perfekt aufeinander abgestimmt. Daher kann eine sehr dicke GaN-Schicht epitaktisch auf einem GaN-Volumensubstrat aufgewachsen werden, was die Herstellung von Bauelementen mit hoher Durchbruchspannung ermöglicht. Ganwafer, ein Hersteller von GaN-auf-GaN-Wafern, bietet 2-Zoll- und 4-Zoll-GaN-auf-GaN-Epi-Wafer in Halbleitern mit großer Bandlücke (WBG) an:
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. N+ GaN-Schichten auf N+ GaN-Substrat
| Gegenstand 1 | Technische Daten |
| GaN-Wafer | 100 mm oder 50,8 mm, N+ GaN-Wafer |
| 1Epi-Wachstum | N+, 10–15 µm, Nd: 1E15–1E16 |
2. N+/P+ GaN-Schichten auf N+ GaN-Substrat
| Punkt 2 | Technische Daten |
| GaN-Wafer | 100 mm oder 50,8 mm, N+ GaN-Wafer |
| 1Epi-Wachstum | N+, 10-15 um, Nd:1E15-1E16 |
| 2Epi-Wachstum | 0,5–2 µm, P-Typ, Na:1E17–1E19 |
| 3Epi-Wachstum | 0,1 um, P-Typ, GaN, Na:-8E19 |
3. N+GaN-Schichten auf halbisolierendem GaN-Substrat
| Punkt 3 | Technische Daten |
| GaN-Wafer | 100 mm oder 50,8 mm, halbisolierender GaN-Wafer |
| 1Epi-Wachstum | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. Vertikale Technologie von GaN/GaN-Wafern
Die vertikale GaN-Technologie nutzt die Eigenschaften von GaN voll aus, da sie auf dem homoepitaktischen Wachstum von GaN auf einem GaN-Substrat basiert. Die offensichtlichen Merkmale der vertikalen GaN-Technologie:
Beim homoepitaxialen Wachstum auf einem GaN-Substrat werden die besten Spektren dieser Schnittwinkel erzielt, was zu der besten Morphologie und der besten Geräteleistung führt. Durch den flexiblen Einsatz von Bulk-GaN-Substrat kann extrem niedrig dotiertes n-GaN erzeugt werden. Durch die Kontrolle der Mg-Dotierung werden pn-Übergänge während des Wachstumsprozesses bewertet. Die Erzeugung eines scharfen pn-Übergangs nach Bedarf ist ein planarisierter Neuwachstumsprozess für eine Oberflächenrauheit mit extrem geringer Oberflächenrauheit. Im Fall von vertikalem p-GaN/n-GaN bestehen sowohl das Substrat als auch die Epitaxieschicht aus GaN mit extrem geringer Defektdichte.
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!
